李灼
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王敬民
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刘伟超
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蒋成保
金属学报
NiMnGa合金的大磁致应变是在具有单变体结构的单晶中获得的。目前，国际上普遍采用单向压缩工艺获得单变体。但是，对较大长径比样品，由于此工艺会造成弯曲变形，不可能通过压缩进行单变体处理。本文报道了一种用强磁场处理的方法，进行NiMnGa单晶的单变体处理。采用光子加热悬浮区熔法，制备了Ф7×38.9 mm的Ni50Mn28.5Ga21.5合金单晶。通过10T脉冲磁场反复磁化的方法，对单晶样品进行变体处理，获得近似单变体，并获得了5.2％的大磁致应变。研究了磁致应变的压力效应，结果表明随压应力增大，孪晶再取向的临界磁场强度增大，饱和磁致应变降低。
关键词:
铁磁形状记忆合金
,
NiMnGa
,
single crystal
,
magnetostrain
李灼
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王敬民
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刘伟超
,
蒋成保
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.03.009
采用光子加热悬浮区熔法制备出直径7 mm、长60 mm的Ni50Mn28.5Ga21.5单晶.分别切割成8.1 mm×4.3mm×4.4 mm和直径7mm,长38.9 mm的两块单晶体,利用10 T强磁场进行变体处理获得近似单变体,并获得了5.2%的大磁致应变.磁致应变压力效应的测试表明,随压应力增大,孪晶再取向的临界磁场强度增大,磁致应变降低.
关键词:
铁磁形状记忆合金
,
NiMnGa单晶
,
磁致应变
,
压力效应
