孟超
,
王文文
,
顾宝霞
,
曹晔
,
刁训刚
,
康明生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.018
利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZnO
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Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
光电特性
吴东奇
,
王文文
,
马丁
,
李东亮
,
王聪
功能材料
利用聚苯乙烯（PS）微球模板技术和直流磁控溅射技术在ITO（In2O3∶Sn）薄膜表面进行Ag的微网格修饰,得到具有良好周期性的表面结构。研究了PS微球直径和直流磁控溅射Ag时间对ITO薄膜表面形貌、可见光区透过率、漫反射率和导电性能的影响。实验及分析证明,对ITO表面进行Ag微网格修饰,当微球直径为2μm,溅射时间为30s时,最大可提高薄膜的导电性能19.5%,其漫反射性能可提高200%,同时在可见光区透过率的降低控制在10%以下,这将有助于提高ITO薄膜作为太阳能电池透明电极的陷光性能。
关键词:
ITO薄膜
,
模板技术
,
直流磁控溅射
,
Ag微网格
李庆华
,
徐腊平
,
李啸
,
梅涛
,
吴思思
,
王文文
涂料工业
介绍了硅烷工艺流程、成膜原理和槽液控制参数,阐述了硅烷工艺的管理要点,包括对膜质量的管控、车身杂质的控制、槽液的杀菌处理和硅烷后的出槽喷淋.此外,对现场出现的硅烷膜干湿不均造成的电泳条纹问题以及解决措施进行了描述.该硅烷前处理工艺与电泳配套性良好,车身质量不亚于传统前处理工艺.
关键词:
硅烷
,
前处理
,
环保
,
汽车涂装
王文文
,
刁训刚
,
王天民
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.03.010
利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO薄膜,使用60Co放射源对一组薄膜进行了γ射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征.结果表明,较高剂量率的γ射线辐照会降低薄膜的结晶程度,而低剂量率的辐照有相反作用.γ射线可激发薄膜中的电子,提高其载流子浓度,最大比率为16.39%.AO辐照仅对ZAO薄膜的表面具有氧化效应,导致表面化学成分中晶格氧比例的提高和薄膜载流子浓度的下降.随着薄膜厚度的增大,载流子浓度的下降比例逐渐减小.
关键词:
透明导电氧化物
,
ZnO:Al薄膜
,
γ射线
,
原子氧
,
电学性能
李渊
,
王文文
,
张俊英
功能材料
采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（In2O3：W,IWO）薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能：随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/（V.s）,可见光平均透射率约为85%,近红外光平均透射率〉80%。
关键词:
In2O3∶W薄膜
,
直流磁控溅射
,
氧分压
,
溅射时间
,
表面形貌
,
光电性能
王文文
,
王峥
,
郝维昌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.007
对系列In2O3∶Sn (ITO)薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn+, Ag+ 和Mo+离子注入并将它们在250 ℃下进行了热处理.利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性.研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响.实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能,但热处理的效应与之相反.3种金属中,Sn+离子对薄膜造成的注入损伤最小,而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主,当注入剂量为1×1015 cm-2时,经过Mo+离子注入和后续退火的ITO薄膜,载流子浓度提高了14%.
关键词:
In2O3∶Sn(ITO)
,
离子注入
,
热退火
,
电学特性
