闵嘉华
,
桑文斌
,
钱永彪
,
王昆黍
,
刘洪涛
,
詹峰
,
秦凯丰
,
樊建荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013
采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.
关键词:
CZT共面栅器件
,
权重势
,
电子俘获
,
电荷感应效率
曹德峰
,
万小波
,
邢丕峰
,
易泰民
,
杨蒙生
,
郑凤成
,
徐导进
,
王昆黍
,
楼建设
表面技术
利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加；低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松；在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.
关键词:
Mo薄膜
,
直流磁控溅射
,
工作气压
,
晶粒尺寸
,
微观应力
李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
,
王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响。本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因。模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面。实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致。因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案。
关键词:
CdZnTe
,
vertical bridgman method
,
finite element method
,
experimental study
李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
,
王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.003
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体 生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因.模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面.实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案.
关键词:
CdZnTe
,
垂直布里奇曼法
,
有限元法
,
实验研究
