材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

甘肃当归新品系DGA2000-02的选育研究

颉红梅 , 刘效瑞 , 李文建 , 荆彦明 , 郝冀方 , 尚虎山 , 刘敬 , 刘荣清 , 何宝刚 , 王春明 , 张国礼 , 陈书珍

当归新品系DGA2000-02是采用重离子束55 MeV/u 40Ar+15 离子辐照甘肃当归90-01干种子, 按新品种选育程序多年选育而成的. 2005-2007年, 在定西市岷县、渭源县、漳县、陇西县等地当归品系区域试验中, 甘肃当归DGA2000-02平均产鲜当归10 621.5 kg/hm2, 较对照品种(甘肃当归90-01)平均增产鲜当归1 386.0 kg/hm2, 增产率15.0%. 生育期790 d, 茎秆深紫色, 根系黄白色. 测定结果: 总灰分4.2%, 酸不溶性灰分0.4%, 分别优于对照品种16%和33.3%; 浸出物61.4%, 较规定指标提高4.4%; 阿魏酸0.148%, 较规定指标提高2.96倍. 质量显著优于对照品种和2005年版<中国药典>规定指标. 适宜在海拔2 000-2 600 m 、年降水量500-600 mm的二阴及高寒阴湿生态区栽培.

关键词: 当归 , 新品系DGA2000-02 , 重离子束辐照 , 选育研究

Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

王矜奉 , 陈洪存 , 王文新 , 苏文斌 , 臧国忠 , 亓鹏 , 王春明 , 赵春华 , 高建鲁

功能材料

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.

关键词: 氧化银 , 二氧化锡 , 势垒 , 电学非线性

Mg-3Sn合金表面高导热耐腐蚀SiCx涂层研究

刘霞 , 陈云贵 , 肖素芬 , 唐永柏 , 丁武成 , 王春明 , 何代澄 , 唐永清

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.10.025

高导热耐腐蚀涂层在轻质镁合金散热器件中的应用具有重要的意义.研究了Mg-3Sn合金表面磁控溅射SiC薄膜的组织结构、导热及耐腐蚀性能.结果表明,Mg-3Sn镁合金表面磁控溅射SiCx薄膜为非晶态.相对于经盐雾实验后的Mg-3Sn合金基体,在25和100C条件下,经SiCx涂覆的Mg-3Sn材料腐蚀后的热导率分别提高23和16W/(m·K),且具有良好的耐腐蚀性能.

关键词: 镁合金 , 磁控溅射 , 碳化硅涂层 , 导热 , 腐蚀

Na对SnO2-CoO-Nb2O5系压敏材料电学性能的影响

王春明 , 王矜奉 , 陈洪存 , 王文新 , 苏文斌 , 臧国忠 , 亓鹏

功能材料

研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景.本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因.

关键词: 碳酸钠 , 二氧化锡 , 压敏材料 , 肖特基势垒 , 压敏电压

Cr2O3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响

臧国忠 , 王矜奉 , 陈洪存 , 苏文斌 , 王文新 , 亓鹏 , 王春明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018

研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.

关键词: 压敏电阻 , 二氧化锡 , 势垒高度 , 非线性系数

低压电子水处理方法的阻垢特性

刘运洁 , 王春明 , 全贞花 , 陈永昌 , 马重芳 , 李兵 , 石成

工程热物理学报

通过静态和动态两种方法对低压电子阻垢性能进行了实验研究.在静态实验中选用了不同波形的电压信号进行实验,结果表明,阻垢效果最好的为恒压直流,其后依次是三角波、正弦波、方波.恒压直流的动态实验结果表明,增大处理电流,污垢热阻降低,阻垢率增大.低压电子阻垢方法通过电化学反应使成垢离子减少以产生阻垢效果.

关键词: 低压电子 , 阻垢 , 波形 , 污垢热阻

对氧化铟掺杂SnCoNb压敏电阻性能的研究

王文新 , 王矜奉 , 陈洪存 , 苏文斌 , 臧国忠 , 王春明 , 亓鹏

功能材料

通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究.所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的.实验发现所有样品都具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的.当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具有最高的非线性系数(α=19.3).随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6μm减小至4.9μm,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小.

关键词: 压敏材料 , 非线性系数 , 二氧化锡 , 电学性能