曲宝壮
,
朱勤生
,
陈振
,
陆大成
,
韩培德
,
刘祥林
,
王晓晖
,
孙学浩
,
李昱峰
,
陆沅
,
黎大兵
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003
利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.
关键词:
量子点
,
MOCVD
,
共振隧穿
,
InGaN/GaN
吴洁君
,
韩修训
,
李杰民
,
黎大兵
,
魏宏远
,
康亭亭
,
王晓晖
,
刘祥林
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
关键词:
缓冲层厚度
,
GaN
,
蓝宝石衬底
,
MOCVD
王斌
,
王晓红
,
李久明
,
王晓晖
,
谢立娟
,
段莉梅
,
刘宗瑞
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2017.02.160125
为了提高薄膜[PEI/P5 W30]30的电致变色性能,将具有大的二维尺寸和良好导电性的氧化石墨烯引入该薄膜中.通过层层自组装(LBL)技术构筑了基于盘状多酸K12.5Na1.5[NaP5W30O110]·1SH2O(P5W30)、氧化石墨烯(GO)的复合薄膜[PEI/P5 W30/PEI/GO]30(PEI:聚乙烯亚胺),并利用UV-Vis光谱对薄膜的组成及增长进行监测;通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行考察,利用循环伏安法对薄膜电化学氧化还原性质进行研究;薄膜在外加氧化还原电位下呈现出无色/蓝色的可逆变化,电致变色响应时间在10 s以内;此外,薄膜在阶跃电位0.75 V/-0.75 V下循环150次,电致变色性能没有明显减弱,体现了薄膜良好的电致变色可逆性.氧化石墨烯的引入使薄膜[PEI/P5 W30/PEI/GO]30呈现出响应速度快、抗电疲劳强的电致变色性能,将在电致变色器件领域有广阔的应用前景.
关键词:
多金属氧酸盐
,
氧化石墨烯
,
可控自组装薄膜
,
电致变色
张福强
,
王晓晖
,
尹艳洪
,
任丽
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2009.03.012
采用半连续滴加方法和碱溶胀后处理方法制备了P(MAA/MMA/BA)为核、P(St/MA/BA)为壳的空心乳液.详细研究了乳化剂的用量对粒径的影响,MAA用量、核壳比对乳液的白度和黏度的影响,并利用透射电镜对空心乳液的微观结构进行了表征.结果表明,乳化剂用量为单体质量的1.5%时,乳胶粒粒径较小,分布较窄;MAA用量及核壳比增加,中空度增加,当MAA用量为核单体的20%、核壳比为1∶5时,白度达到93.60.
关键词:
种子乳液聚合
,
中空结构
,
白度
,
黏度
,
中空度
张立文
,
王晓晖
,
王富岗
,
夏元良
,
张国梁
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.016
建立了圆柱体工件激光相变硬化过程的三维传热学模型,根据此模型,采用有限差分法对圆柱体工件在激光相变硬化过程中的三维非稳态温度场进行了数值模拟,预测了42CrMo钢圆柱体工件激光相变硬化区的宽度和深度.对42CrMo钢圆柱体工件进行了激光相变硬化实验,并实测了工件激光相变硬化区的宽度和深度.研究结果表明:采用数值计算的方法,可以准确地计算出圆柱体激光相变硬化过程的温度分布及微观组织分布;预测的激光相变硬化区宽度和深度与实验测量结果符合的较好.
关键词:
激光相变硬化
,
温度场
,
有限差分法
黎大兵
,
董逊
,
刘祥林
,
王晓晖
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016
在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.
关键词:
InAlGaN四元合金
,
金属有机物气相外延
,
高分辨X射线衍射
,
光致发光
陆大成
,
刘祥林
,
韩培德
,
王晓晖
,
汪度
,
袁海荣
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.001
报道用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。
关键词:
GaN
,
InGaN
,
AlGaN
,
双异质结
,
量子阱
,
蓝光LED
,
绿光LED
,
MOVPE
向军
,
胥青华
,
王晓晖
中国有色金属学报
采用固相反应法合成一系列样品Sm0.9Ca0.1Al1-xZnxO3-δ(x=0,0.03,0.05).利用X射线衍射和扫描电镜研究样品的结构、微观形貌和烧结性能,用交流阻抗谱测量Sm0.9Ca0.1Al0.97Zn0.03O3-δ在500～1 000 ℃的电导性能.结果表明:在1 650 ℃烧结24 h可以获得单相样品,Zn2+在B位的固溶度为3%～5%,样品的相对密度为92.3%.Ca、Zn双掺杂能大大提高样品的电导性能,800 ℃时总电导率为0.39 S/m,ln((T)与1/T关系曲线呈一折线,高温电导活化能小于低温电导活化能,710 ℃以上的电导活化能为0.66 eV,710 ℃以下的电导活化能为1.18 eV.
关键词:
氧离子导电性
,
双掺杂铝酸钐
,
交流阻抗谱
,
电导率
向军
,
王晓晖
,
胥青华
稀有金属材料与工程
以高温固相反应法制备了混合导电性陶瓷La0.8Sr0.2A10.97Zn0.03O3-δ(LSAZ),并使用XRD、SEM和交流复阻抗技术对样品的物相、微观形貌、电导性能进行了表征.粉末XRD结果表明,LSAZ陶瓷为单一的六方钙钛矿型结构.采用氧浓差电池测定了LSAZ在700～900 ℃范围内的离子迁移数,研究了其氧离子导电特性.结果表明,LSAZ在空气气氛中是一个氧离子和电子空穴的混合导体,氧离子迁移数在0.6左右,并随温度的升高而逐渐增大.在850℃时,LSAZ的总电导率达到1.0×10-2 S/cm,氧离子电导率为6.4×10-3 S/cm,氧离子电导活化能为0.96 eV.
关键词:
混合离子导体
,
氧离子导体
,
电导率
,
铝酸镧
