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退火温度对ZnO∶Al透明导电薄膜结构和性能的影响

于军 , 王晓晶 , 徐玮 , 雷青松

功能材料

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200~600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均>85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32~3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级.

关键词: 退火温度 , 溶胶-凝胶法 , 结构性能 , 透明导电薄膜 , ZnO∶Al

以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

邱春文 , 石旺舟 , 王晓晶 , 周燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.016

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92%左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.

关键词: 多晶硅带衬底 , 多晶硅薄膜 , 等离子体化学气相沉积法 , 二次引铝 , 低温制备

低温溶胶法制备钨、氮共掺杂二氧化钛光催化剂的研究

孟波 , 王晓晶 , 李雪 , 刘云义

钢铁钒钛 doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2013.05.005

以钛酸四正丁酯为前驱体,硝酸铵和钨酸铵为掺杂源,利用低温溶胶法直接制备了纳米级钨、氮共掺杂二氧化钛粉体.通过XRD、SEM、IR、XPS、GTA等测试手段对样品进行表征,结果表明:共掺杂TiO2粉体为锐钛矿型,呈球状颗粒,粒径为8.9nm,600℃内稳定性好,禁带宽度2.86 eV,光响应迁移到可见光范围.以氙灯模拟太阳光降解甲基橙溶液,光照60 min,光催化剂粉体的降解率达到94%以上,与P25相比有明显提高,具有良好的光降解性能.

关键词: 低温溶胶 , 二氧化钛 , 光催化 , 共掺杂

沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

于军 , 王晓晶 , 雷青松 , 彭刚 , 徐玮

人工晶体学报

采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4~9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04~2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132~96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低.

关键词: 氢化纳米硅 , 磁控溅射 , 沉积压力 , 光学带隙

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

雷青松 , 徐火希 , 王晓晶 , 季峰 , 徐静平

人工晶体学报

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.

关键词: p型微晶硅 , 界面处理 , 柔性太阳能电池

磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

徐玮 , 于军 , 王晓晶 , 袁俊明 , 雷青松

材料导报

利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.

关键词: 磁控溅射 , 陶瓷靶材 , 电阻率 , 透过率 , ZnO:Al薄膜

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