黄卫东
,
王旭洪
,
盛玫
,
徐立强
,
罗乐
,
冯涛
,
王曦
,
张富民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.015
利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
关键词:
氮化硅薄膜
,
有机发光器件
,
封装
李浩
,
武爱民
,
黄海阳
,
李伟
,
盛振
,
王曦
,
邹世昌
,
甘甫烷
功能材料与器件学报
通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播.实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm.该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力.
关键词:
光子晶体
,
自准直
蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
董业民
,
叶春暖
,
汤乃云
,
陈静
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
王曦
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.
关键词:
锗纳米镶嵌薄膜
,
电致发光
,
发光机制
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
冯涛
,
茅东升
,
李炜
,
柳襄怀
,
王曦
,
张福民
,
李琼
,
徐静芳
,
诸玉坤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.
关键词:
类金刚石薄膜
,
图形化
,
场发射显示器
张恩霞
,
孙佳胤
,
易万兵
,
陈静
,
金波
,
陈猛
,
张正选
,
张国强
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.008
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
关键词:
氧氮共注
,
氮氧共注隔离
,
SIMON
,
SOI
,
注入剂量
李炜
,
茅东升
,
张福民
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
,
诸玉坤
,
李琼
,
徐静芳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.006
用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.
关键词:
ZnO:Zn
,
荧光薄膜
,
热处理
,
光致发光
王曦
,
杨根庆
,
柳襄怀
,
郑志宏
,
黄巍
,
周祖尧
,
邹世昌
金属学报
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
