魏由洋
,
陈俊炜
,
周杰
,
袁超
,
沈伟清
,
蒋小月
,
王泽来
涂料工业
阴极电泳广泛应用于汽车涂装,电泳针孔是阴极电泳过程中的常见缺陷.本文介绍了实际生产过程中的电泳针孔问题,根据针孔缺陷形态特征,通过电压-时间跟踪的潜水艇试验以及通过fluke示波器对整流器的输出电压进行测试,确认了整流器的电压输出波动是此次针孔缺陷的原因.通过逐个替代法,确认了整流器中的问题元器件,在对问题元器件进行更换后,整流器输出状态恢复正常,电泳针孔问题消除.
关键词:
电泳针孔
,
整流器
,
电压波动
吴元庆
,
赵洋
,
王泽来
,
周涛
,
边玉强
,
陆晓东
,
张鹏
人工晶体学报
针对定向凝固多晶硅铸锭炉内温场的分布特点,利用COMSOL 5.0模拟软件优化设计了定向凝固多晶硅铸锭炉内部坩埚形状,并对优化后铸锭炉内的温场分布进行了详细分析.结果表明:将坩埚底面由平底结构改进为凸底结构,可优化铸锭坩埚内的温场分布,使长晶界面的等温线趋于水平分布,进而可有效解决中心区域结晶过早、边角区域结晶过慢和边角区热诱导缺陷、杂质密度大等铸锭过程中存在的基本问题.
关键词:
多晶硅
,
坩埚形状
,
温场
,
数字模拟
,
等温线
陆晓东
,
赵洋
,
王泽来
,
张鹏
,
吴元庆
,
张宇峰
,
周涛
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.031
利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱,分析了c-Si、a-Si和GaAs三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况.分析过程中,电池结构采用两种形式,即平板型和织构型,且两种形式的电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度.分析表明:直接带隙a-Si和GaAs材料的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料;平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小,TM模损耗随入射角增加而增加;织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多,相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大;TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显.
关键词:
金属背反镜
,
吸收损耗
,
平板型电池
,
织构型电池
陆晓东
,
宋扬
,
赵洋
,
王泽来
,
张金晶
人工晶体学报
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗I～V特性的影响.结果表明:衬底掺杂浓度决定了织构结构晶硅电池的pn结性质,并对其暗I～V特性曲线产生具有重要影响;栅线电极覆盖绒面金字塔比率相同时,晶硅电池的暗I～V特性曲线将出现相同的分区特性,且理想因子随绒面金字塔的增加而微幅增加;栅线电极与电池底面电极构成二极管的理想因子,随金字塔周期数增加而增大,是决定晶硅电池暗I～V特性曲线性质的关键因素;当衬底掺杂浓度大于等于1×1017时,暗I～V特性曲线可分成三个变化区域;当衬底掺杂浓度小于1×1017时,暗I～V特性曲线可分成四个变化区域;同一偏压下,衬底掺杂浓度越高,暗电流越小.此外,利用pn结处于不同偏压下的总电流密度分布,详细分析了不同区域形成的物理机制.
关键词:
晶硅电池
,
暗I～V特性曲线
,
理想因子
,
总电流密度
陆晓东
,
王泽来
,
宋扬
,
赵洋
,
张金晶
人工晶体学报
利用频域有限差分法,分析了两种典型非晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗.研究表明:平板型非晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由银材料的本征吸收和非晶硅有源层导模共振效应引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的非晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型非晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰的峰值大于平板型非晶硅电池的吸收峰峰值.
关键词:
非晶硅太阳电池
,
背反射镜
,
吸收损耗
,
频域有限差分法
陆晓东
,
赵洋
,
王泽来
,
宋扬
,
张金晶
人工晶体学报
基于频域有限差分法和入射光场在平板型和织构型非晶硅电池内的传输过程,详细分析了Ag背反镜的吸收性质.研究表明:导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收是两种电池结构Ag背反镜的主要吸收机制;在长波段,平板型电池结构的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收均较弱,其Ag背反镜的吸收很小(小于3％),而织构型电池结构可产生较强的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收,其Ag背反镜的吸收较大(某些特殊波长的吸收达50％);织构型电池结构可有效拓展入射光单程通过有源层被完全吸收的波长范围.
关键词:
频域有限差分法
,
太阳电池
,
金属背反镜
,
吸收损耗
宋扬
,
陆晓东
,
王泽来
,
赵洋
,
吕航
,
张宇峰
人工晶体学报
暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.
关键词:
晶硅电池
,
暗I-V特性曲线
,
理想因子
,
杂质
,
缺陷
