王泽温
,
介万奇
,
李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
王泽温
,
介万奇
,
李宇杰
,
谷智
功能材料
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
范德堡法
,
导电类型
,
霍尔系数
王泽温
,
介万奇
功能材料
分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.
关键词:
Al/Hg1-xMnxTe
,
Au/Hg1-xMnxTe
,
欧姆接触
,
肖特基接触
