魏俊红
,
林璇英
,
赵韦人
,
池凌飞
,
余云鹏
,
林揆训
,
黄锐
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响.
关键词:
调谐单探针
,
等离子体化学气相沉积
,
Ar等离子体
黄锐
,
林璇英
,
余云鹏
,
林揆训
,
姚若河
,
黄文勇
,
魏俊红
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4
,
生长速率
,
晶化度
娄艳辉
,
王照奎
,
林揆训
,
林璇英
功能材料
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长.进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln(n=0～2)基团浓度的影响.等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×109cm-3.结果发现,在0.4～0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln(n=0～2)基团很有利.在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值.生成较多的SiCln(n=0～2)基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量.
关键词:
氢稀释
,
纳米硅薄膜
,
SiCln(n=0～2)基团
