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SiC纳米及晶须增强Si3N4基复相陶瓷断裂行为的研究

孙丽虹 , 朱其芳 , 王瑞坤 , 董利民 , 张宝清 , 沈惠珠 , 张希顺

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.003

用扫描电镜、透射电镜及努氏压痕法研究了添加 SiC 晶须、纳米颗粒及晶须和纳米颗粒的三种 Si3N4 基复相陶瓷在外力作用下的断裂行为.这三种材料断裂的主要方式是沿晶断裂,偶尔可见穿晶断裂.在裂纹发展的路径上当裂纹尖端遇到了晶须、集聚的纳米颗粒及类晶须时,会产生扭转、偏转、断裂、拔出和终止,从而使裂纹能量消耗,抑制和阻碍了裂纹的扩展和传播,起到了增韧补强的作用.

关键词: Si3N4 基复合陶瓷 , 晶须 , 纳米颗粒 , 裂纹扩展

YBCO大面积超导薄膜沉积工艺与微结构研究

王小平 , 王瑞坤 , 刘援 , 古宏伟 , 袁冠森 , 郝建民 , 温业礼

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.011

采用中空柱状阴极直流磁控溅射方法制备了大面积YBCO超导薄膜.应用XRD方法,对在30×30mm2LaAlO3衬底上沉积的YBCO薄膜进行了结晶完整性、均匀性的测定.对同一样品,使用透射电子显微镜对薄膜和衬底间的界面进行了研究.

关键词:

Cu-Zn-Al形状记忆合金热处理与显微组织结构的关系

孙丽虹 , 王瑞坤 , 张希顺 , 千东范 , 高宝东 , 刘亚秀 , 陈家光

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.016

运用扫描电镜及最新引进的电子背散射衍射装置研究了Cu-Zn-Al形状记忆合金材料显微结构和织构. 将显微组织和晶体学分析相结合, 在研究材料显微组织、成分的同时, 研究材料中单个晶粒的取向和整体取向的统计学规律, 探求热处理条件与组织结构之间的关系. 给出了Cu-Zn-Al形状记忆合金在轧板和热处理后的组织结构、微观织构和极图.

关键词: Cu-Zn-Al , 形状记忆合金 , 组织结构 , 显微织构 , 电子背散射衍射

(NdPr)_(16)Fe_(76)B_8永磁体的磁畴结构和有关的磁性能

王瑞坤 , 孙丽虹 , 李东培 , 应启明 , 竹山太郎

金属学报

在热退磁状态,这种永磁体的基体晶粒一般为多畴结构,单个畴为180°片状畴,也有少量钉形畴和迷宫畴。测得平均畴宽为1.5μm。还观察到一些直径1μm左右的单畴晶粒和极个别直径3μm左右的单畴晶粒,计算出畴壁能γ=36mJ/m~2,交换常数A=4.5×10~(-11)J/m,畴壁厚度δ=15.7nm,临界单畴晶粒直径D_c=0.5μm。还讨论了晶界附近存在高磁场梯度与晶界两侧相邻磁畴内磁化方向的关系和微观组织对K,A和δ值的影响。

关键词: Nd-Fe-B永磁体 , domain structure , magnetic property

La1-xNdx(NiCoMnAl)5贮氢合金性能研究

靳红梅 , 李国勋 , 张昭良 , 王超群 , 王瑞坤 , 孙丽虹

中国稀土学报

研究了不同x值的La1-xNdx(NiCoMnAl)5合金的晶格常数、氢平衡压力、放电容量及大电流放电性能.测定结果表明, 合金晶胞体积随x值增加呈线性关系减小;当x=0.2时,电极容量达到最大值,而氢平衡压力最低.

关键词: 稀土 , , , 贮氢合金 , 合金电化学特征

AB5型储氢合金性能波动的原因探析

郑青军 , 李国勋 , 周传华 , 王瑞坤 , 詹峰 , 李国斌

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.010

通过研究稀土原料中的杂质及合金的微观组织,探讨了用感应炉批量生产AB5型储氢合金性能波动的可能原因.储氢合金的性能由合金的成分、微观组织和表面状态决定.合金性能波动除受浇铸时的冷却条件影响外,还与稀土原料中铁、镁等杂质及熔炼工艺因素(包括单位产量、熔炼温度、时间气氛及炉频等因素)有关.

关键词: AB5型储氢合金 , 性能波动 , 杂质 , 微观组织 , 熔炼工艺

纯Ti板材屈服强度和氢化物组织结构与氢含量的关系

王瑞坤 , 王得明

金属学报

在540和650℃,含氢60—80ppm的纯Ti板材的屈服强度σ_(0.2)出现降低,进一步增加氢含量,σ_(0.2)不再降低。在室温和540℃,氢含量低于50ppm时,应力-应变曲线上有明显上下屈服点;在650℃或氢含量高于50ppm,明显的上下屈服点消失。由此算得纯Ti中氢原子与位错之间的最大互作用能为0.47—0.53eV。 纯Ti中的氢化物均为片状和针状。在氢含量低于80ppm时,氢化物为体心四方结构TiH_2;高于80ppm,为fcc结构TiH_2。在氢含量低至15ppm的试样中也发现了体心四方结构TiH_2。

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