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不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

林致远 , 马骏 , 林亮 , 杨成绍 , 邹志翔 , 黄寅虎 , 文锺源 , 王章涛

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163105.0460

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.

关键词: 高开口率高级超维场转换技术 , 非晶硅 , 薄膜电晶体 , 双栅极

快门式3D显示中信号驱动方法与3D串扰的研究

张春兵 , 晏斌 , 徐利燕 , 唐乌力吉白尔 , 王峥 , 王章涛 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0582

快门式3D液晶显示是目前的市场主流,改善其串扰问题可以提高显示品质.文中描述了一种采用预充电和充电方式进行像素数据写入的侧边式LED背光快门眼镜3D显示装置.配合背光LED时序,实现了较高的3D显示亮度的同时,降低了3D显示中的串扰.并且在实验中制作出一个139.7 cm(55 in)快门眼镜式3D显示装置,采用预充电和充电方式进行像素数据写入的信号驱动方法,并采用8组LED背光扫描进行时序控制.对制作的显示装置进行信号测试,3D光学测试,结果表明用此种方法主要可以降低液晶响应时间以及3D串扰.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示 , 快门眼镜3D , 预充电驱动 , 背光扫描 , 3D串扰 , 3D亮度

ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

林致远 , 杨成绍 , 邹志翔 , 操彬彬 , 黄寅虎 , 文锺源 , 王章涛

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163104.0370

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.

关键词: 高开口率高级超维场转换技术 , 非晶硅 , 薄膜电晶体 , Poole-Frenkel

薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

刘翔 , 王章涛 , 崔祥彦 , 邓振波 , 王海军

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.

关键词: 薄膜晶体管 , 四次光刻 , 光刻胶 , 灰化

TFT-LCD中Ioff-p与画面闪烁关系的研究

王明超 , 姚之晓 , 刘家荣 , 林鸿涛 , 王章涛 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132802.0215

为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验.首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁.其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系.同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释.最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试.所有的实验结果均表明,Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持,从而使正负帧的亮度产生较大差异,最后造成闪烁偏高.

关键词: TFT-LCD , 闪烁 , 光照漏电流 , 亮度 , 像素电压

TFT-LCD中画面闪烁的机理研究

林鸿涛 , 王明超 , 姚之晓 , 刘家荣 , 王章涛 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0567

画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷.文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释.Vgs的变化产生△Vp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除.Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同,引起Vcom进一步的漂移和闪烁.通过降低Photo-Ioff和提高Vgl,可以改善闪烁现象.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 闪烁 , 光照漏电流 , 公共极电压漂移 , 电压保持特性

关于TFT-LCD中一种偏光片相关不良的研究

刘杰 , 李东熙 , 金炯旲 , 王章涛 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132806.0872

偏光片作为液晶显示器的重要组成部分之一,其特性会直接影响到显示器的画面显示效果.文章首先对偏光片的基本组成进行了介绍,依据水分与偏光片透过率的关系.对偏光片相关的一种不良形成机理进行了分析,表明该不良的形成与湿度及偏光片的材质存在较大的相关性,通过使用不同材质偏光片的模组进行温湿度变化实验,验证了该不良的发生机理,同时针对该不良提出了改善方法,即在液晶显示器显示区域内避免偏光片局部与其他部品发生接触,或者在偏光片选取方面需选用位相差变化小的产品.

关键词: 液晶显示器 , 偏光片 , 湿度 , Mura

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