郑燕青
,
施尔畏
,
王绍华
,
陈辉
,
卢网平
,
孔海宽
,
陈建军
,
路治平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.
关键词:
双坩埚提拉法
,
近化学计量比
,
临界生长速率
,
组分过冷
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01053
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm, 长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体. XRD分析表明, 生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相, 结构属P21/c空间群. 对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论, 并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因. 晶体在380~800nm之间的透过率接近90%, 200~380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的. 不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征; 相比于紫外激发下的发射而言, X射线激发下的发射光谱略有红移. 该晶体发光符合单指数衰减模型, 衰减时间为30.74ns在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
关键词:
硼酸钆锂
,
crystal growth
,
optical transmittance
,
scintillation properties
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00025
研究了80~500K范围内, 光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性. 在346nm光激发下, 热猝灭占优势, 发光随温度升高而降低. 在274nm光激发下, 发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定: 低于200K时, 能量传递占支配地位, 发光随温度升高而增强; 高于200K时, 热猝灭占优势, 发光随温度升高而减弱. 225K以下, 辐射跃迁占优势, 衰减随温度升高而略有增大; 225K以上, 无辐射跃迁占优势, 衰减随温度升高而减小. 利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式, 获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
关键词:
发光
,
decay time
,
Li6Gd(BO3)3:Ce
,
temperature dependence
闵春刚
,
冷艳
,
崔小英
,
杨喜昆
,
黄绍军
,
王绍华
,
任爱民
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.013
通过密度泛函理论(DFT)MPW3PBE 泛函,对甲基、甲氧基、氰基、氟原子、氨基、硝基取代的萤火虫生物发光底物烯醇式氧化荧光素进行了全优化.计算了他们的电离能(IP)、电子亲和势(EA)、空穴抽取能(HEP)、电子抽取能(EEP)、空穴和电子重组能(λ),评估了它们的空穴和电子传输能力.用含时密度泛函理论(TDDFT)MPW3PBE/6-31＋G(d)方法计算了吸收光谱,优化了最低单重态 S1,最终研究了它们的荧光光谱.理论计算结果表明,E-CN 是具有双重功能的 OLEDs 材料的优良候选者,即可同时作为电子传输层和发光层材料.E-NO 2、E-F 和 E-OCH 3可以作为电子传输材料.而 E-NH 2可作为空穴传输材料.
关键词:
萤火虫烯醇式氧化荧光素
,
密度泛函理论
,
空穴和电子传输
,
重组能
,
发射光谱
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.005
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体.XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21/c空间群.对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因.晶体在380～800nm之间的透过率接近90%,200～380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的.不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移.该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30.74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
关键词:
硼酸钆锂
,
晶体生长
,
光学透过
,
闪烁性能
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.005
研究了80～500 K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3∶Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定:低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
关键词:
发光
,
衰减时间
,
Li6Gd(BO3)3∶Ce
,
温度依赖
任国浩
,
王绍华
,
李焕英
,
陆晟
无机材料学报
用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
关键词:
硅酸镥
,
crystal growth
,
emission
,
excitation
任国浩
,
沈定中
,
王绍华
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.009
本文根据偏光显微镜观察,把存在于立方氟化铅晶体中的包裹体分为三种类型:针状包裹体、板状包裹体和无规则形包裹体.根据EDS成分分析和XRD结构测定,认为针状包裹体的组成为铅的氧化物和氟氧化物,板状包裹体和无规则形包裹体为氟化铅的斜方相.针状包裹体是由于原料中的PbO杂质引起组分过冷而造成氧化铅和氟氧化铅小颗粒的定向排列.如果氧化物杂质含量不是很高,则通过掺入过量脱氧剂、提高固液界面处的温度梯度和降低下降速度,可以比较有效地减少甚至消除晶体中的针状包裹体.
关键词:
氟化铅晶体
,
包裹体
,
组分过冷
,
闪烁晶体
任国浩
,
沈定中
,
王绍华
,
刘光煜
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.009
在PbF2晶体的透射光谱中常存在一个300nm光吸收带,其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减.利用原子吸收光谱分析(AAS),发现具有300nm光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子Ca和Ba,但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象,排除了Ca和Ba是造成这一吸收现象的原因,而是认为Ce3+离子杂质的4f→5d跃迁是造成该吸收带的原因.氟化铅晶体中的微量Ce3+离子杂质来源于生产HF时所使用的天然矿物CaF2.通过对HF这一制备PbF2原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的300nm吸收带.
关键词:
PbF2晶体
,
300nm吸收带
,
起因
,
Ce3+离子杂质
任国浩
,
王绍华
材料导报
介绍了目前正在使用的X-射线成像屏、X-CT和PET等核医学成像技术的原理及其探头对无机闪烁体的性能要求,展示了几种最有发展前景的无机闪烁晶体--硅酸镥(LSO)、铝酸镥(LuAP)和钨酸铅晶体的研究现状和存在的问题.指出透明陶瓷闪烁体的出现是对传统闪烁晶体的一个挑战.
关键词:
闪烁体
,
核医学
,
成像技术
