赵长虹
,
张玉春
,
孙恺红
,
王继红
,
吴贵林
,
王健豪
,
田树森
,
金槿秀
,
庄景云
,
邓群
,
杜金辉
钢铁研究学报
详述了GH4169合金精锻机大尺寸棒材(150m)的生产工艺及其先进性.
关键词:
GH4169合金
,
精锻机
,
锻造工
赵长虹
,
孙恺红
,
王继红
,
吴贵林
,
王健豪
,
金槿秀
,
田树森
,
庄景云
,
邓群
,
杜金辉
钢铁研究学报
研究了GH4169合金的锻造工艺对组织和性能的影响,探讨了锻造工艺参数对晶粒组织和δ相形态的影响规律,并进一步研究了该合金的组织与性能间的对应关系.
关键词:
锻造工艺
,
δ相
,
晶粒组织
王林涛
,
吴贵林
,
王继红
,
王健豪
,
董健
,
田树森
,
耿庆全
,
庄景云
,
邓群
,
杜金辉
钢铁研究学报
对GH742合金压机锻造开坯的可行性进行了探讨,并对其锻造工艺、晶粒长大倾向性及热处理制度进行了研究,摸索出了合适的热加工及热处理工艺制度.
关键词:
GH742合金
,
整体锻件
,
晶粒长大倾向性
郭祥
,
王一
,
魏文喆
,
黄梦雅
,
赵振
,
王继红
,
胡明哲
,
丁召
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.02.005
利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14 Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜.采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌.虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86 As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛.
关键词:
MBE
,
InGaAs
,
表面形貌
卢洪辉
,
杨国韬
,
王继红
,
程学武
,
龚顺生
,
李发泉
,
杨勇
,
刘正宽
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.01.004
通过武汉物理与数学所的白天钠激光雷达,对武汉(30°30′N,114°E)上空的钠层昼夜变化特性及潮汐波活动进行了观测.在一次持续时间超过两天的观测中,钠层表现出了很强的日周期变化特性,钠层的柱密度、层宽度、质心高度都呈现出24 h的变化周期.各个高度上的钠层密度变化也呈现出清晰的24 h下行波的相位传播现象.这些结果都可以归因于一个显著的日潮汐波扰动.从观测数据中提取出来的潮汐相位与GSWM00模式符合得很好.在其它的三个短时间白天观测中我们也观察到了显著的钠层日周期变化,而平均钠层日变化呈现出了显著的日潮汐波传播结构.这个结果与已有的报道很符合,即日潮汐波是武汉上空主要的潮汐波.
关键词:
激光雷达
,
白天观测
,
钠层日变化
,
潮汐波
罗子江
,
周勋
,
郭祥
,
王继红
,
魏文喆
,
王一
,
丁召
材料导报
采用分子束外延(MBE)方法,通过反射高能电子衍射(RH EED)强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs(001)和InP(001)单晶衬底上生长高In组分的InGaAs薄膜,并通过扫描隧道显微镜(STM)对其表面形貌和表面重构进行了细致分析,STM图片证实采用该方法获得的高In组分InGaAs薄膜处于高质量的平整状态.研究发现InGaAs与衬底之间的拉伸应力是促使薄膜表面呈现了大量的锯齿状边缘的主要原因;高分辨的STM分析还发现,高In组分的InGaAs薄膜是多种重构混合的表面,InGaAs/InAs是以β(2×4)重构为主,而InGaAs/InP是以(4×3)重构为主,它们在RHEED衍射图像上都是模糊的(2×3)或(4×3)/(2×3)表面重构.
关键词:
InAs
,
InP
,
InGaAs
,
MBE/STM
,
表面形貌
罗子江
,
周勋
,
王继红
,
郭祥
,
王一
,
魏文喆
,
丁召
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.019
采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs (001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过 GaAs (001)在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是 GaAs (001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
关键词:
STM
,
GaAs 薄膜
,
形貌相变
,
表面重构
,
As BEP
王继红
,
罗子江
,
周勋
,
郭祥
,
周清
,
刘珂
,
丁召
功能材料
采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs (001)基片上同质外延GaAs薄膜.利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究.研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失.指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因.
关键词:
GaAs薄膜
,
MBE
,
RHEED
,
STM
,
熟化
罗子江
,
周勋
,
王继红
,
郭祥
,
丁召
材料导报
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持.
关键词:
RHEED
,
STM
,
GaAs(001)
,
表面重构
