辛红
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苏未安
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王艳阳
硅酸盐通报
_采用Sol-gel法制备了PbZr_0.52Ti_0.48O_3 (PZT)薄膜,并研究了(SrZrO_3)_(10)(SrTiO_3)_(90)((SZO)_10(STO)_90)缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响.X射线衍射(XRD)结果表明:(SZO)_10(STO)_90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由(SZO)_10(STO)_90诱导的PZT薄膜有很强的(111)择优取向,缓冲层将PZT薄膜的取向度α由45.0%提高到了90.1%以上;PZT的(111)择优取向提高了薄膜的电性能,使剩余极化强度Pr从26.8 μC/cm~2增大到38.8 μC/cm~2.
关键词:
缓冲层
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薄膜
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结晶
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(SZO)_10(STO)_90
