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Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响

冯媛媛 , 杨晓红 , 左佳奇 , 王长远 , 王维 , 马勇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.019

采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO 3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1 h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下对NO 2的气敏性能.结果表明,Ti 掺杂可以有效抑制WO 3晶粒的生长,减小晶粒尺寸;退火处理使材料的晶相发生了改变,晶粒尺寸进一步减小,晶粒分散性变好.薄膜传感器件的测试结果显示,适量 Ti 掺杂和退火处理均可提高器件对 NO 2的灵敏度,退火后 Ti 掺杂2%样品制成的器件的灵敏度最大,其值达到了15.38,响应恢复时间分别为2.2和1.5 min,且具有良好的可重复性和稳定性.

关键词: Ti 掺杂 , WO 3 , 退火 , 气敏 , 水热法

水热法合成ZnO:Cd纳米棒及氢敏性研究

熊金龙 , 杨晓红 , 王维 , 陈露 , 王长远

硅酸盐通报

本文采用水热法成功的合成了纯ZnO和ZnO: Cd纳米棒.借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪等研究了纯ZnO和ZnO: Cd的形貌、结构及性质.结果表明,合成的纯ZnO和ZnO: Cd均呈六角纤锌矿纳米棒结构,Cd的掺入使得纳米棒尺寸减小、品格发生膨胀.合成材料制成的薄膜型气敏传感器对氢气的敏感性研究表明,纯ZnO薄膜器件对氢气几乎不敏感,而ZnO: Cd薄膜器件灵敏度较高.当工作温度为220℃时,ZnO: Cd薄膜器件对浓度为250ppm的氢气灵敏度达到3.95,且具有良好的可重复性.

关键词: ZnO纳米棒 , Cd掺杂 , 氢敏特性

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