李仪成
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杨烨
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王雅真
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王磊
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孙辉辉
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张勇
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赵勇
低温物理学报
本文采用化学溶液法制备了在不同热处理条件下葡萄糖掺杂的MgB2块材样品.并对样品的晶体结构及超导电性进行了系统分析.X射线衍射结果表明掺杂样品a轴方向上的晶格参数减小,说明MgB2晶格中部分硼原子被葡萄糖分解后的活性碳原子所替代.此外,在两种不同烧结温度下,5 wt%C6H12O6掺杂量对Tc都有较小的抑制,但不可逆场和高场下的载流能力得到了提高.在10K,5T下,掺杂样品的临界电流密度可达104 A/cm2,比纯样Jc值大2～3倍,这表明掺杂样品的磁通钉扎性能得到了有效改善.
关键词:
MgB2
,
临界电流密度
,
热处理温度
,
磁通钉扎
王雅真
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杨烨
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李仪成
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王磊
,
孙辉辉
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张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文介绍了预处理柠檬酸(C6H8O7)掺杂对MgB2超导体的影响.通过该实验我们将柠檬酸中的一部分氧元素除去,降低了样品中MgO的含量,从而有效减轻了杂质相对超导转变温度(Tc)的抑制.另外,还发现样品的临界电流密度(Jc)在处理温度为200℃时达到最优值.在10K,4T条件下,200℃预处理的样品的Jc达到1.4×104A/cm2,相对纯样的临界电流密度0.8×104A/cm2,提高了75%.
关键词:
MgB2
,
预处理温度
,
临界电流密度
崔雅静
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陈永亮
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杨烨
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王雅真
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过先制备一种纳米尺寸的GdF_3作为GdFeAsO_(1-x)F_x样品中F的反应原料,在相对较低的温度(1120℃)下成功制备出一系列GdFeAsO_(1-x)F_x(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)多晶样品.X射线衍射结果表明,超导样品属四方ZrCuSiAs-type结构,晶格参数随着掺F量的增加而减小.扫描电子显微镜测试结果表明,样品具有片层状晶体形貌特征.当掺F量x=0.1时,样品表现出超导电性,超导转变温度为22K,随着掺F量的增多,超导转变温度升高.和其他制备方法相比,这种制备方法更有利于F的掺入,而且可有效减少样品中杂质相的含量.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
