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溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉及表征

赵丽丽 , 王雪文 , 张志勇 , 闫军锋

功能材料

采用溶胶-凝胶法成功地合成了(Sr,pB)TiO3纳米晶粉,并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及350℃,1.5h煅烧获得的粉体材料进行了表征.实验以TG-DSC分析作为拟定煅烧温度的依据,以XRD作为煅烧产物的分析手段,最佳煅烧温度为600℃,所合成的(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的平均晶粒尺寸约为21nm,属钙钛矿型立方顺电相结构.

关键词: 钛酸锶铅 , 溶胶-凝胶法 , 纳米晶粉体 , 钙钛矿型晶体结构

Ga掺杂ZnO电子结构的密度泛函计算

张富春 , 邓周虎 , 阎军锋 , 王雪文 , 张志勇

功能材料

根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.

关键词: ZnO , 密度泛函 , 电子结构 , 掺杂 , 光吸收边 , Burstein-Moss移动

GaN纳米线的溶胶-凝胶法制备及表征

景钰洲 , 王雪文 , 杨怡 , 赵武 , 邓周虎

硅酸盐通报

采用低成本、易操作的溶胶-凝胶法制备高质量的GaN纳米线.以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶,甩胶于覆有催化剂的Si(111)衬底上,在氨气气氛下制备出GaN纳米线.利用XRD、SEM、TEM、EDS等对GaN纳米线进行表征与分析,结果表明1000℃氨化温度下,制备出的纳米线结晶度好,形貌优.并研究了催化生长GaN纳米线的生长机理.

关键词: GaN纳米线 , 溶胶-凝胶 , 生长机理

GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究

李恩玲 , 王珊珊 , 王雪文

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01121

以氧化镓为镓源, 用溶胶-凝胶和高温氨化二步法, 在Si(111)衬底上制备出GaN薄膜. X射线衍射(XRD)分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构; 扫描电子显微镜(SEM)图片显示GaN晶粒的尺寸<100nm; 薄膜的红外光谱(FTIR)中有GaN的E1 (TO)声子模式. 用密度泛函理论(DFT)计算了氮化镓小团簇的振动频率. 结果表明: 富镓氮化镓团簇的振动频率在六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值附近; 富氮氮化镓团簇中的N--N键的振动频率为2200cm-1. 用氮化镓团簇的频谱对所制薄膜的红外光谱作了进一步分析.

关键词: 氮化镓 , sol-gel , density functional theory(DFT) , null

GaN薄膜的制备及其振动光谱的密度泛函理论研究

李恩玲 , 王珊珊 , 王雪文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.007

以氧化镓为镓源,用溶胶.凝胶和高温氨化二步法,在Si(111)衬底上制备出GaN薄膜. x射线衍射(XRD)分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)图片显示GaN晶粒的尺寸<100nm;薄膜的红外光谱(FTIR)中有GaN的E1(TO)声子模式.用密度泛函理论(DFT)计算了氮化镓小团簇的振动频率.结果表明,富镓氮化镓团簇的振动频率在六方晶系纤锌矿结构CaN的光学声子峰值附近;富氮氮化镓团簇中的N-N键的振动频率为2200cm-1.用氮化镓团簇的频谱对所制薄膜的红外光谱作了进一步分析.

关键词: 氮化镓薄膜 , 溶胶-凝胶 , 密度泛函理论

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