王静宇
,
刘朝旺
,
杨玉林
,
宋炳文
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.012
通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
关键词:
MOVPE
,
CdTe薄膜
,
表面形貌
