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价层轨道平均能与掺杂二硼化镁体系临界电流密度的关系

杨国峰 , 孙爱民 , 张秀娥 , 王顺青 , 张涛 , 黄国海 , 朱海滨

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.015

本文研究了掺杂二硼化镁超导体系的原子价层轨道平均能IEMI与临界电流密度Jc之间的关系,发现它们之间有较好的规律性.全部阳离子和阴离子的价层轨道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之间,阳离子与阴离子价层轨道平均能的平均值之差IDEI几乎都集中在3.59eV至4.98eV之间.对于理解晶格上电子的静电作用与超导机理的联系是很有帮助的.

关键词: 价层轨道平均能 , 掺杂二硼化镁 , 临界电流密度

拓扑指数与掺杂二硼化镁体系超导电性的关系

张涛 , 孙爱民 , 朱海滨 , 王顺青 , 黄国海 , 李彦炜 , 陈团结

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.04.012

构建了电性连接性指数mF和价电子能级连接性指数mE,计算了二硼化镁体及掺杂二硼化镁体系的0阶拓扑指数0F和0E,发现与超导转变温度Tc之间有良好的规律性,因此,本文提出以电性连接性指数mF和价电子能级连接性指数mE作为掺杂二硼化镁体系超导电性的新判据.

关键词: 拓扑指数 , 掺杂二硼化镁 , 超导电性

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