王领航
,
高里存
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.05.016
系统地介绍了MgO-CaO-ZrO2耐火材料的性能特点、应用领域、制备与使用情况.指出,利用高纯原料制备MgO-CaO-ZrO2耐火材料已取得成功,而利用天然原料低成本地制备MgO-CaO-ZrO2耐火材料将成为今后研究的主要课题;同时指出,MgO-CaO-ZrO2耐火材料的剥落现象是影响其使用寿命的主要原因,还有待于进一步研究改进.
关键词:
MgO-CaO-ZrO2耐火材料
,
抗侵蚀性
,
热震稳定性
,
挂窑皮性
,
水泥回转窑
,
精炼炉
曾冬梅
,
介万奇
,
黄斌
,
王涛
,
王领航
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.013
在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定.此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方程组的求解,避开了一般应变测定方法中难以确定无应力状态下衍射角的问题.所测定的生长态碲锌镉晶片晶格畸变量为10-3～10-2数量级,该畸变量是碲锌镉晶片存在成份偏析、位错和空位等缺陷以及晶片受到的应力综合作用的结果.
关键词:
X射线衍射
,
摇摆曲线
,
不对称布拉格衍射
,
晶格畸变
王领航
,
介万奇
材料科学与工艺
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F(43)m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
王领航
,
介万奇
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.027
以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ 15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.
关键词:
碲铟汞
,
晶体生长
,
垂直Bridgman法
,
半导体材料
,
近红外光电探测器
杨杨
,
王领航
,
介万奇
,
王亚彬
,
傅莉
人工晶体学报
对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加.相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.
关键词:
HgInTe
,
化学抛光
,
腐蚀速率
,
表面粗糙度
许岗
,
介万奇
,
王领航
,
孙晓燕
人工晶体学报
利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.
关键词:
碘化汞
,
金
,
石墨
,
氯化金
,
电极
,
Ⅰ-Ⅴ特性
,
接触电阻
董阳春
,
王领航
,
介万奇
人工晶体学报
研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.
关键词:
碲铟汞
,
缺陷
,
腐蚀坑
,
半导体材料
王领航
,
董阳春
,
介万奇
功能材料
利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
关键词:
HgInTe
,
晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
光电半导体材料
,
近红外探测器
