卢振伟
,
吴现成
,
徐大印
,
赵丽丽
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张道明
,
王文海
,
甄聪棉
材料导报
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2栅介质将无法满足Metal-oxide-semniconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求.因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点.介绍了不断变薄的SiO2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题.
关键词:
微电子材料
,
栅介质
,
等效SiO2厚度
,
薄膜
王晓强
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贺德衍
,
李明亚
,
甄聪棉
,
韩秀梅
稀有金属材料与工程
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜.在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合.拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭圆偏振法结合EMA模型对样品微结构的拟合分析得出了同样的结论,说明即使在室温下用ICP-CVD也获得了具有纳米晶相的Si薄膜,薄膜微结构与源气体SiH4浓度有密切关系.说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段.
关键词:
ICP-CVD
,
Si薄膜
,
低温生长
,
椭偏光谱法
王晓强
,
甄聪棉
硅酸盐通报
在室温下用3 MeV的硅离子对聚酰亚胺(PI)薄膜进行注入,注入离子浓度为1×1012～1×1015 ions/cm2.对注入后的样品进行了拉曼光谱和电学性质的测试.拉曼分析表明:随注入量的增大,PI薄膜的结构有从绝缘体→类金刚石→石墨这样一个逐渐碳化的变化过程,即样品中的苯环,-CH3-等官能团减少,说明样品随注入量的增大逐渐碳化;电学性质测量表明,随着注入量的增大,样品的电阻逐渐下降.分析认为离子注入使聚合物碳化是引起聚合物电学性质发生改变的重要原因.
关键词:
聚酰亚胺薄膜
,
高能离子
,
注入
,
改性
何志巍
,
甄聪棉
,
缑洁
,
兰伟
,
郭得峰
,
王印月
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.003
报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.
关键词:
SiO2
,
低介电常数
,
分子模板
王晓强
,
李明亚
,
甄聪棉
,
韩秀梅
稀有金属材料与工程
与一般的金属(Al,Cu,Ag和Au)及其硅化物相比,过渡金属硅化物具有更高的电导率和良好的热稳定性,受到广泛关注.其中,稀土金属与硅形成的稀土硅化物具有优异的光学、电子学性质,对新功能材料的开发起到重要作用.本文综述了稀土硅化物的特性、制备技术及其进展.介绍了稀土金属硅化物在器件方面的应用.
关键词:
稀土硅化物
,
制备技术
,
器件应用
王晓强
,
甄聪棉
,
李明亚
稀有金属材料与工程
利用SO1-Gel二步水解法制备了TiO2/SiO2复合薄膜材料,对样品在空气气氛中进行加热,再于不同温度下进行了退火处理.采用XRD以及Raman谱表征了样品的微结构,并通过紫外可见透射谱研究了样品的光学特性.结果表明,样品的光学特性与样品中SiO2含量存在依赖关系,并分析了相应机理.
关键词:
Sol-gel
,
TiO2/SiO2
,
复合薄膜
,
光学特性
