赵文光
,
田一光
,
张乔
,
王飞
中国稀土学报
采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955-xSrxAl2Si2O8:Eu2+(x=0～0.9)系列荧光粉,研究了Sr2+置换Ca2+对晶体结构和光谱特性的影响.Sr2+进入CaAl2 Si2O8晶格与Ca2+发生类质同相替代形成连续固溶体,物相从CaAl2Si2O8相(Triclinic,P1)逐渐转换为SrAl2 Si2O8相(Monoclinic,I2/c),晶胞参数a,b,c和晶胞体积都随Sr2+置换量呈线性增加,a,β卢和γ在置换量为0.1-0.7区间缓慢减小,超过0.7后呈线性急剧减小.位于250-410 m区间的宽带激发光谱由4个激发峰构成,表观峰值位于356nm.Eu2+占据两种格位形成两个发光中心,分别产生430和468 nm发射,宽带发射光谱位于390～550nm区间,呈现近白色发光.控制Sr2+含量可使表观发射峰位置在408～434nm之间移动,强度随Sr2+含量增加而增强.
关键词:
白光LED
,
荧光粉
,
硅酸盐
,
固溶体
,
Eu2+
巩仕星
,
田一光
,
张乔
,
王飞
,
王孟有
,
陈立伟
中国稀土学报
采用高温固相法制备了CaLa4Si3O13:Eu3+红色荧光粉,研究了助熔剂总量、Li和B物质的量之比、烧成温度对发光性能的影响.以Eu3+的5D0-7F2发射强度为指标得出的最佳制备条件为:硼锂双助熔剂B和“物质的量之比为1∶1,总量为0.4mol· mol-,950℃预烧150 min,1150℃,240 min烧成.硼组分进入晶格置换硅,使晶胞参数a,c和晶胞体积V均逐渐减小,提高电/磁偶极跃迁强度比和总发光强度.助熔剂总量达到0.24 mol·mol-后,进入基质的硼趋于饱和.硼组分起到助熔剂和基质组分置换双重作用.
关键词:
LED
,
荧光粉
,
硅酸盐
,
氧磷灰石
,
助熔剂
,
稀士
张景峰
,
田一光
,
林实俄
,
翁学军
,
刘海涛
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.11.009
利用工业化生产中通用的橡胶混炼工艺制备了丁苯橡胶(SBR)/N330/叶蜡石基改性复合纳米粉体(PBMCN)纳米复合材料.对改性的叶蜡石基复合纳米粉体在SBR/N330/PBMCN纳米复合材料中的分散性能及对SBR/N330/PBMCN体系纳米复合材料的力学和硫化性能的影响进行了研究.结果表明,PBMCN在SBR/N330/PBMCN复合材料中的分散效果良好.PBMCN取代N330 20%(质量分数)时,SBR/N330/PBMCN复合材料的拉伸强度、拉断伸长率及硫化性能都得到了改善.分析讨论了PBMCN在SBR/N330/PBMCN复合材料中的补强机理.
关键词:
叶蜡石
,
丁苯橡胶
,
纳米复合材料
,
力学性能
,
硫化性质
王飞
,
田一光
,
张乔
,
赵文光
硅酸盐通报
采用高温固相法在弱还原气氛下制备SrAl<,2>Si<,2>O<,8>:Eu<,2+>系列荧光粉,研究了预烧温度、预烧时间、烧成温度和助熔剂用量对发光性能的影响;正交试验得出最佳制备条件为:经1050℃预烧180min,在1300℃,240min烧成,硼酸加入量6.0wt%.XRD分析表明,所制得样品属于单斜晶系.激发光谱位于220～400 nm,可拟合成四个峰,表观蜂值位于350nm;发射光谱位于370～600nm,可由406nm和441nm两峰拟合而成,表观峰值位于408nm.随着硼酸用量的增加,试样衍射峰半高宽变窄和强度增强,晶胞参数a、b、c和晶胞体积V减小,硼酸起到助熔剂和基质组分置换双重作用.
关键词:
LED
,
荧光粉
,
锶长石
,
制备条件
,
助熔剂
石维
,
田一光
,
张乔
,
赵财德
,
宋皎皎
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20130406
采用高温固相反应法在弱还原气氛下制备了Ca2 Y7.9(SiO4)6O2-0.5xFx:Eu0.1(2+,3+)(x=0～4)系列荧光粉.晶胞参数a,c和晶胞体积V均随着F-置换量的增加呈线性减小,晶胞参数a和c的变化率相近.荧光体中Eu2+和Eu3+共存,Eu2+3d5/2与Eu3+3d5/2电子结合能分别为1128.4和1136.3 eV,Eu2+的3d5/2与3d3/2的电子结合能差为28.4 eV.Eu2+和Eu3+的3d5/2态XPS峰面积比为6.9∶1.激发光谱由Eu3+的两个电荷迁移(CTS)带和f-f跃迁激发线组成,x=0,1的试样中出现了Eu2+的f-d跃迁强激发谱带.激发到Eu3+的电荷迁移态或激发Eu2+,除了来自Eu3+的5D0能级的发射之外,还观察到了5D1能级的强发射和5D2能级的弱发射,并且激发Eu2+时5D1→7F4发射强度超过5D0→7F2,没有出现Eu2+的明显发射,Eu2+对Eu3+发光起到很好的敏化作用.5DJ(J＞0)高能级发射来自4f格位的Eu3+发光中心,Eu2+的敏化起关键作用.Eu3+在4f和6h两种格位的分布比为4∶6.
关键词:
发光
,
Eu(Ⅱ,Ⅲ)
,
高能级
,
氧磷灰石
,
氟硅酸盐
王飞
,
田一光
,
张乔
,
赵文光
稀有金属材料与工程
采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ca0.955Al2-xBxSi2O8:Eu2+(x=0～0.7)系列荧光粉,研究BⅢ置换AlⅢ对晶体结构和光谱特性的影响.BⅢ以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的AlⅢ形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V呈线性递减,而晶面夹角α,β呈线性递增.荧光激发谱为225～420 nm宽带激发谱,半高宽为112 nm,表观峰位于352 nm,随着BⅢ置换量的增加,半高宽从112 nm减小到95 nm.发射光谱位于370～600 nm,可由423和460 nm两峰拟合而成,表观峰值位于425 nm,随着BⅢ置换量的增加,两拟合峰均线性蓝移,且拟合峰强度比呈线性递减.
关键词:
发光
,
CaAl2Si2O8
,
硼置换
,
晶体结构
,
Eu2+
周永强
,
刘海涛
,
吴磊
,
田一光
,
尹德武
,
张景峰
稀有金属材料与工程
以正硅酸乙酯、硝酸盐等为原料,用溶胶.凝胶法制备了Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光粉,探讨了前驱体制备工艺条件,用XRD等手段对发光粉进行了表征.结果表明:在pH=1～3,R≥4,控制共溶溶剂的用量,室温下即可形成均匀透明的溶胶和凝胶.前驱体在1100℃烧结3 h制备出Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光粉.发光粉具有光致发光行为和长余辉发光特性,其发出的余辉为黄绿色,发光亮度低、余辉时间短,仅1 h左右,其激发光谱在340～480nm之间存在一个强度较低的激发带,发射光谱的发射峰位于528nm.
关键词:
硅酸盐
,
长余辉
,
发光粉
,
溶胶-凝胶法
王飞
,
田一光
,
张乔
,
赵文光
中国稀土学报
在弱还原气氛下采用高温固相法制备Ba0.955Al2-xGaxSi2O8:Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究Ga3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+与Al3+以类质同相替代进入BaAl2Si2O8晶格形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V均随Ga3+置换量呈线性增加.宽带激发光谱,覆盖范围为230～400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于330 nm,基本不随Ga3+置换量变化;随着Ga3+置换量的增加,半高宽从93 nm减小至83 nm.发射光谱位于375～560 nm,可由422和456 nm两峰拟合而成,表观峰值位于434 nm,两拟合峰峰位均随Ga3+置换量呈线性红移,且拟合峰强度比呈线性递减.
关键词:
发光
,
硅酸盐
,
钡长石
,
镓置换
,
Eu2+
王飞
,
田一光
,
张乔
稀土
采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响.Ge4+以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递增；而晶面夹角α和β随Ge4+置换量的增加呈线性递减.荧光激发谱为宽带,位于230nm～420nm,可拟合成四个峰,表观峰值位于351nm;随着Ge4+置换量的增加,半高宽从114nm减小到96nm.发射光谱位于375nm～600nm,可由422nm和458nm两峰拟合而成,表观峰值位于426nm；随着Ge4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移.
关键词:
硅酸盐
,
钙长石
,
锗置换
,
Eu2+
王飞
,
田一光
,
张乔
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.014
通过高温固相法在弱还原气氛下合成Ca0.955Al2Si2-xTix08∶ Eu2+(x =0～1.0)系列试样荧光粉,系统研究了Ti4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响.Ti4+以类质同相替代CaA12Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,随着Ti4+置换量的增加,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V都呈线性递增,晶面夹角α和β均呈线性递减.Ti4+置换Si4+对晶胞参数c的影响最显著,b其次,a最小.荧光激发谱为宽带,位于225～400 nm,可由280,322,353和382 nm4个峰拟合而成,表观峰值位于351 nm；随着Ti4+置换量的增加,半高宽从115 nm减小到91 nm.发射光谱位于375～600 nm,表观峰值位于426 nm,可由428和458 nm两峰拟合而成并且随Ti4+置换量增加线性红移,Ti4+进入晶格对较长波长发射中心影响较大；Ti4+置换量为1.0 mol时,表观发射峰位从426 nm线性红移至430 nm,半高宽由66 nm增加至80 nm.随着Ti4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,使得Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移.
关键词:
硅酸盐
,
钙长石
,
钛置换
,
Eu2+
