田彦宝
,
吉元
,
赵跃
,
吴迪
,
郭霞
,
沈光地
,
索红莉
,
周美玲
人工晶体学报
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.
关键词:
GaAs-GaN
,
热应力
,
晶片键合
,
电子背散射衍射(EBSD)
田彦宝
,
吉元
,
王俊忠
,
张隐奇
,
关宝璐
,
郭霞
,
沈光地
功能材料
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.
关键词:
电子背散射衍射(EBSD)
,
微区应力
,
GaAs-AlGaAs
