王海云
,
张春玲
,
唐蕾
,
刘彩池
,
申玉田
,
徐岳生
,
覃道志
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
小位错回线
,
沉淀成核中心
崔春翔
,
申玉田
,
徐艳姬
,
李艳春
,
王如
,
王新
,
王超
稀有金属材料与工程
采用原位干混合煅烧合成法在钛合金基体上成功制备了K2Ti6O13涂层,并对涂层的微观形貌、相组成、涂层-基体的结合强度进行了研究,通过模拟体液实验对其生物活性进行了评估.结果表明,涂层与基体间结合牢固,能够经受空冷条件下的冷热冲击,热膨胀系数的良好匹配是结合强度提高的主要原因.涂层粗糙的表面和气孔可为骨的向内生长提供有利位置.经模拟体液浸泡,涂层表面形成了钙磷比接近人体骨骼的钙磷层,表明涂层具有良好的生物活性.
关键词:
原位干混合煅烧合成法
,
K2Ti6O13涂层
,
热膨胀系数.
,
生物活性
,
生物相容性
申玉田
,
崔春翔
,
吴人洁
,
徐艳姬
,
孟凡斌
稀有金属材料与工程
对Cu-Al合金的内氧化工艺及其动力学进行了系统研究。结果表明：本实验条件下以1223K，0.5h内氧化工艺所得材料的性能最佳，其显微组织特征是Cu基体上均匀弥散分布着纳米级γ-Al2O3粒子。理想条件的内氧化初期和实际条件下的内氧化动力学曲线服从抛物线规律。温度、时间、Cu-Al合金粉颗粒半径和Al浓度是实际内氧化控制的4要素，它们间的函数关系近似满足下式：t=6.79R2CBexp(23251/T)。实际内氧化时间不宜过长，内氧化温度应该：1123K＜T≤1223K。
关键词:
Cu-Al合金
,
内氧化
,
动力学
,
电导率
王为
,
贾法龙
,
黄庆华
,
张伟玲
,
郭鹤桐
,
申玉田
无机材料学报
对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,P型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料。
关键词:
p型温差电材料
,
Bi2Te3
,
electrochemical assembling
,
nanowire array
申玉田
,
崔春翔
,
徐艳姬
,
韩瑞平
稀有金属材料与工程
利用形核理论,对大块非晶合金的形成条件、控制因素、合金成分设计思路、制备原理与技术等进行了分析与讨论.非均匀形核的避免和均匀形核的抑制是大块非晶合金成功制备的充分必要条件,前者要通过外部熔炼条件的有效控制来实现,包括:熔炼提纯、合理的冷却介质和惰性气氛保护等;后者要通过合理的成分设计来实现,包括:多组元、高原子尺寸比、大负混合热、低熔点组元或低熔点共晶.
关键词:
大块非晶合金
,
形核
,
非晶形成条件
,
合金设计
申玉田
,
崔春翔
,
申玉发
,
徐艳姬
,
刘华
稀有金属材料与工程
对Cu-Al合金内氧化的热力学条件进行了分析,绘制了内氧化的热力学条件区位图.结果表明:区位图中择优氧化区位很大,范围由上、下限氧分压确定,其中:lgPo2(max)=(-17611/T)+12.91,lgPo2(min)=(-55 830/T)-(4/3)lg[%Al]+19.95,但实际的内氧化区位是靠近上限Po2的1个很小区域;溶度积K3p和残余Al浓度都是极小量,内氧化可进行得很彻底;内氧化控制中温度和氧分压的调节必须同步;理想的内氧化工艺条件应是:采用1 223 K左右的高温,介质中的氧分压力求接近或等于上限Po2;为了避免氧化,降温过程宜采用通H2急冷的方法.
关键词:
Cu-Al合金
,
内氧化
,
热力学
,
氧分压
戚玉敏
,
崔春翔
,
申玉田
,
王新
,
高鑫
功能材料
通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试方法分析反应合成的六钛酸钾(K2Ti6O13)晶须的形态、晶体结构及其结晶生长.结果表明,采用烧结法一次反应合成的 K2Ti6O13晶须为柱状单晶,在确定的工艺条件下获得的晶须表面质量很好,内部原子排列规则,没有晶体缺陷存在,外侧面和断面有一层紊乱的过渡层,晶须沿轴向和径向生长,且沿轴向生长快,其轴向生长方向平行于[010]方向.
关键词:
六钛酸钾
,
晶须
,
微结构
,
晶体生长
申玉田
,
崔春翔
,
徐艳姬
,
武建军
,
刘华
稀有金属材料与工程
这是一文的第Ⅱ部分.对Cu-Al合金内氧化的热力学条件进行了分析,绘制了内氧化的热力学条件区位图.结果表明:区位图中择优氧化区位很大,范围由上、下限氧分压确定,其中:1gPomax=(-17611/T)+12.91,1gPo2min=(-55 830/T)-4/3)1g[%Al]+19.95,但实际的内氧化区位是靠近上限Po2的一个很小区域;溶度积Ksp和残余Al浓度都是极小量,内氧化可进行得很彻底;内氧化控制中温度和氧分压的调节必须同步;理想的内氧化工艺条件应是:采用1 223K左右的高温,介质中的氧分压力求接近或等于上限Po2;为了避免氧化,降温过程宜采用通H2急冷的方法.
关键词:
Cu-Al合金
,
内氧化
,
热力学
,
氧分压
