石玉娇
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杨涛
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聂瑞娟
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马平
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谢飞翔
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刘乐园
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王守证
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戴远东
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.01.007
设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高T.dc SQUD结构.根据Y.Zhang等在高T.rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理,在直接耦合dc SQUID中,用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感,进而增大Ap/Lp,以增大总的有效面积.用双晶衬底所做的对比实验表明,对于我们所设计的几何结构,有效面积增大了17%.
关键词:
