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CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法

闵嘉华 , 桑文斌 , 钱永彪 , 王昆黍 , 刘洪涛 , 詹峰 , 秦凯丰 , 樊建荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013

采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.

关键词: CZT共面栅器件 , 权重势 , 电子俘获 , 电荷感应效率

Au-CZT与Au/Cr-CZT接触性能比较

梁小燕 , 闵嘉华 , 赵岳 , 王长君 , 桑文斌 , 秦凯丰 , 胡冬妮 , 周晨莹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.001

本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究.结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性.在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%.Au/Cr电极器件的漏电流较低,~(241)Am射线下能谱响应更佳.分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.

关键词: 复合电极 , 金半接触 , 应力模拟分析 , CZT探测器

不同沉积工艺下Au/P-CdZnTe接触界面的研究

秦凯丰 , 桑文斌 , 钱永彪 , 闵嘉华 , 滕建勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.017

采用超声波扫描(SAM)、俄歇电子能谱分析技术(AES)、电极粘附力测试和I-V特性测试等方法研究了化学沉积、溅射和真空蒸发三种不同沉积工艺条件下Au/p-CdZnTe接触界面的各种特性.通过实验结果可以看出,化学法沉积的Au电极能形成较好的欧姆接触特性,但其操作工艺不容易控制,电极接触层均匀性较差,在器件使用过程中,容易引起电极的退化;溅射沉积的Au电极有着较好的附着力,但对CdZnTe表面的损伤较大,欧姆接触特性较差;真空蒸发法沉积的Au电极,有着较好的欧姆接触特性,且其电极接触层也较为均匀,只是电极附着力相对较小,但可以通过合适的退火工艺进行改善.

关键词: CdZnTe , 接触界面 , 超声波扫描(SAM)

移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究

梁巍 , 王林军 , 张继军 , 秦凯丰 , 赖建明 , 吴文其

人工晶体学报

采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×1017 atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te (CMT)和Cd0.9Zn0.1Te (CZT)单晶.生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×109 ~ 6.2×1010 Ω·cm.CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23.富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4 ~ 14.4 ppm范围内.红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5 ~24 μm,浓度为105 cm-3.除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大.制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2%和24.6%.

关键词: 碲锰镉 , 碲锌镉 , 移动加热器法 , 电阻率

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