秦志新
,
陈志忠
,
于彤军
,
张昊翔
,
胡晓东
,
杨志坚
,
李忠辉
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001
研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.
关键词:
氮化镓基LED
,
欧姆接触
,
氧化
陈志忠
,
秦志新
,
胡晓东
,
于彤军
,
杨志坚
,
章蓓
,
姚光庆
,
邱秀敏
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.002
用1 mm×1 mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED.其200 mA下的发光功率为13.8 mW,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的10倍.同时改变注入电流,发现功率曲线直到200 mA仍没有出现饱和或下降的趋势,白光的色温从5 300 K下降至4 800 K.同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响.
关键词:
白光LED
,
大功率
,
荧光粉
,
色温
罗浩俊
,
胡成余
,
姚淑德
,
秦志新
材料研究学报
在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子,
然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火,
研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明,
离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀.
在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰,
其强度随着退火温度而变化. 这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的
振动模式和局域振动模式. 消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.
注入剂量1$\times$10$^{14}$cm$^{-2}$是一个临界值,
对于注入剂量高于这个临界值的样品, 高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
罗浩俊
,
胡成余
,
姚淑德
,
秦志新
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词:
无机非金属材料
,
p-GaN
,
离子注入
,
拉曼散射
易业文
,
陈志忠
,
于彤军
,
秦志新
,
何仲恺
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.04.013
设计了一种边发射型的白光LED封装结构,通过全反射和反光镜的反射使LED发出的光由两侧出射,并且可以通过调节锥形反光镜的锥顶角来控制光强角分布中峰值的位置.利用光路追迹软件对所设计的结构进行模拟,并将所设计的边发射型LED用于直下式背光源中.通过对模拟结果的分析,当背光源灯箱大小为228 mm×150 mm,灯箱厚度在20～30 mm时,均匀度可以达到85%以上.利用具有表面布点的导光板结构,使侧向出射的光线经过导光板底面的锥形网点时,经历一次折射和一次全反射.这样将侧向出射的光线导向正向出射,提高了背光源正向的亮度.
关键词:
白光LED
,
边发射
,
直下式
,
均匀性
,
导光板
