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陈化过程中湿度、温度及时间对Nd:YAG纳米粉体的影响

张晓琳 , 刘铎 , 秦海明 , 刘宏 , 王继扬 , 桑元华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01273

采用微波辅助均相沉淀法制备了Nd:YAG(Nd:Y3Al5O12)纳米粉体. 通过XRD和SEM对此方法制备的Nd:YAG纳米粉体进行了分析表征, 并分析了在陈化过程中, 湿度、温度和陈化时间对制备Nd:YAG纳米粉体的影响. 实验结果表明: 陈化环境的湿度、温度和陈化时间对制备Nd:YAG纳米粉体的组分和形貌有显著的影响. 陈化环境中湿度和温度对Nd:YAG纳米粉体的影响具有一定的依存关系, 必须适当地控制; 陈化时间对Nd:YAG纳米粉体的粒径大小影响显著, 随着陈化时间的延长, 获得的Nd:YAG纳米粉体的颗粒尺寸先减小后增大. 

关键词: Nd:YAG , nano-powders , humidity , aging

Mg-4.0Zn-2.5Sr合金HA涂层体外降解及生物相容性

崔彤 , 管仁国 , 刘超杰 , 秦海明 , 宋福林

材料热处理学报

通过电沉积工艺在生物材料Mg-4.0Zn-2.5Sr合金表面制备HA涂层,对比研究了HA涂层与无涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金在Hank's溶液中的降解性能及生物相容性.结果表明:通过电沉积工艺电压5V,温度50℃,时间2h后,再经过后碱热处理2h可制备出组织细小、致密、均匀并与基体有良好结合的HA涂层.Mg-4.0Zn-2.5Sr合金在Hank's溶液中的最终腐蚀速率为0.264 g/(cm2·h).HA涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金在Hank's溶液中最终腐蚀速率为0.163 g/(cm2·h).电化学分析发现HA涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金的腐蚀电位是-0.801 V,明显高于无涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金的腐蚀电位-1.33 V,说明经过HA涂层后镁合金的抗腐蚀性能获得提高.HA涂层与无涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金的细胞溶血率均在生物材料<5%的允许范围之内,作为生物材料使用时均不会发生溶血现象.HA涂层与无涂层Mg-4.0Zn-2.5Sr合金的细胞增殖率均超过96%,为1级细胞毒性,通过细胞形貌特性分析也证明了二者的细胞毒性作用非常小,满足生物材料细胞毒性的要求.

关键词: Mg-4.0Zn-2.5Sr , 合金 , 生物材料 , 降解 , 生物性能

合成条件对尿素沉淀法制备氧化钇纳米微球的影响

秦海明 , 刘宏 , 桑元华 , 张晓琳 , 吕耀辉 , 王继扬

人工晶体学报

本文采用尿素沉淀法合成了粒径约160 nm的激光陶瓷用氧化钇粉微球.颗粒呈较规则球形,单分散性良好.通过对反应过程的系统研究,探讨了粉体前驱体微球的生长机理,并研究了硫酸铵对前驱体微球生长习性的影响.对前驱体微球的热力学性质进行了研究.采用X射线衍射仪,扫描电镜,透射电镜,TG-DTA等仪器对实验过程及实验结果进行表征和分析.得出了溶液升温速率和硫酸铵对于氧化钇粉体制备的影响.较高的升温速率有助于前驱体颗粒在较短的时间内聚集.5%硫酸铵的加入明显减小前驱体尺寸,且硫酸根在1000℃煅烧时分解防止氧化钇微球之间出现烧结颈.从而形成外形规则、单分散的氧化钇微球.

关键词: 尿素沉淀法 , 氧化钇 , 升温速率 , 硫酸铵

陈化过程中湿度、温度及时间对Nd:YAG纳米粉体的影响

张晓琳 , 刘铎 , 秦海明 , 刘宏 , 王继扬 , 桑元华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01273

采用微波辅助均相沉淀法制备了Nd:YAG(Nd:Y3Al5O12)纳米粉体.通过XRD和SEM对此方法制备的Nd:YAG纳米粉体进行了分析表征,并分析了在陈化过程中,湿度、温度和陈化时间对制备Nd:YAG纳米粉体的影响.实验结果表明:陈化环境的湿度、温度和陈化时间对制备Nd:YAG纳米粉体的组分和形貌有显著的影响.陈化环境中湿度和温度对Nd:YAG纳米粉体的影响具有一定的依存关系,必须适当地控制;陈化时间对Nd:YAG纳米粉体的粒径大小影响显著,随着陈化时间的延长,获得的Nd:YAG纳米粉体的颗粒尺寸先减小后增大.

关键词: Nd:YAG , 纳米粉体 , 湿度 , 陈化

共沉淀法制备Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12粉体

张烨 , 陈先强 , 秦海明 , 罗朝华 , 蒋俊 , 江浩川

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160075

通过在含有钆、镓、铝离子的硝酸混合溶液中滴加氨水,共沉淀生成Ce掺杂的Gd3(Al,Ga)5O12(GAGG)前驱体,并采用TG/DTA对GAGG前驱体进行表征.分别在800℃、850℃、900℃、1000℃、1 100℃及1200℃对GAGG前驱体进行煅烧处理,采用XRD对GAGG粉体的物相进行表征,结果显示制备出纯相的GAGG粉体.采用SEM对GAGG粉体的颗粒大小以及微观形貌进行观察.GAGG粉体的荧光谱图显示在560 nm处有一个很强的发射峰.在900℃煅烧处理的GAGG粉体所烧结的陶瓷具有最高的透明度.

关键词: Gd3(Al,Ga)5O12陶瓷 , 共沉淀 , 煅烧 , 无机闪烁体

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