牟其善
,
张杰
,
刘希玲
,
胡秀琴
,
李可
,
彭祖建
,
官文栎
,
程传福
,
路庆明
,
马长勤
,
王绪宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.015
利用原子力显微镜研究了KTiOAsO4 晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点,如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiOAsO4晶体铁电畴的原子力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究.最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
铁电畴
,
原子力显微镜
郝晓涛
,
张德恒
,
马瑾
,
杨莺歌
,
王卿璞
,
程传福
,
田茂华
,
马洪磊
功能材料
回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜(包括锡掺杂的三氧化二ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等)的研究进展情况.报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系,给出了在此领域内应进一步进行的工作.
关键词:
柔性衬底
,
氧化物半导体
,
透明导电膜
牟其善
,
刘希玲
,
李可
,
官文栎
,
程传福
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.012
利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
原子力显微镜
,
同步辐射X射线形貌像
,
铁电畴
,
位错
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
宗福建
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
光电特性
马瑾
,
余旭浒
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
真空退火
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
计峰
,
马瑾
,
王玉恒
,
余旭浒
,
宗福建
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃衬底上制备出SnO2薄膜,对薄膜的结构和光致发光性质及退火处理对薄膜结构和发光特性的影响进行了研究.制备SnO2薄膜为六角金红石结构,最大晶粒尺寸约为1000nm.室温光致发光(PL)谱测量表明,在396nm处存在强的发光峰.研究了退火处理对发光性质的影响,并对辐射机理进行了探索.
关键词:
APCVD
,
氧化锡薄膜
,
光致发光
