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纳米石墨微片/聚氯乙烯复合材料的制备与性能

程博 , 齐暑华 , 何栋 , 曹鹏

复合材料学报

利用超声作用制备纳米石墨微片(nano-Os),并采用混酸对其进行表面活化,最后通过熔融共混法制备nano-Gs/聚氯乙烯(PVC)复合材料。通过FTIR、SEM对nano-Gs的结构进行表征,并研究了nano-Gs对nano-Gs/PVC复合材料导电性能和力学性能的影响。FTIR分析表明:nano-Gs经混酸处理后表面活性官能团含量明显升高,并与PVC分子链发生一定程度的氢键作用;SEM图片显示:nano-Gs厚度为30-80nm,其微片宽度为4-20μm,在PVC树脂基体中呈无规状均匀分布;导电性能测试表明:随着nano-Gs含量升高,nano-Gs/PVC复合材料的体积电阻率呈非线性降低趋势,最低为10^[3]Ω·cm,nano-Gs的逾渗阈值为10%(质量分数);力学性能测试表明,随着nano-Gs含量升高,nano-Gs/PVC复合材料的拉伸强度及缺口冲击强度均先升高后降低,nano-Gs质量分数为1%时,复合材料的拉伸强度及缺口冲击强度均达到最大值,相比纯PVC分别升高约14%和38%。

关键词: 聚氯乙烯 , 纳米石墨微片 , 熔融共混 , 导电 , 复合材料

基于NiosⅡ的液晶屏控制器SOPC设计

宋跃 , 卢俊平 , 雷瑞庭 , 陈卫 , 程博

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142901.0048

为实现TFT-LCD显示控制器的SOPC-IP设计,选择FPGA-EP4CE6F17C8作为设计验证平台,采用verilog语言,针对全彩AT070TN84 TFT-LCD,由Nios Ⅱ软核处理器、SDRAM控制器、JTAG UART、LCD控制器、Avalon总线等组成TFT-LCD控制器.以Nios Ⅱ软核处理器为核心,各IP核(如SDRAM控制器、TFT-LCD控制器等)通过Avalon 总线相连接到Nios Ⅱ上,并通过Avalon总线接口模块、DMA模块、FIFO模块和时序产生模块完成了TFT-LCD控制器IP核设计,实现800×480分辨率,16 bit颜色深度的彩色图形显示控制.显示实验运行稳定,图像清晰,色彩丰富,无闪屏、错行等现象,视觉效果良好,设计具有良好的可配置性、复用性和移植性.实践证明该设计行之有效.文中给出了控制器的设计原理、实现方法、仿真与实验过程的同时,重点讲述与控制器IP核相关的各设计环节.

关键词: Nios Ⅱ , SOPC-IP , 液晶屏控制器 , 直接存储器存取

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