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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜

江锦春 , 程文娟 , 张阳 , 朱鹤孙 , 沈德忠

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.012

利用微波等离子体化学气相沉积系统,以甲烷、氮气和氢气作为气源,在Si(100)衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较.用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜,可以看出晶型完整,结构致密,结晶质量较好.X射线能谱证明了碳氮是以C-N和C=N共价键的形式存在,氮碳元素的原子比均为1.3.X射线衍射确定出在衬底温度为900410℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相(面间距d=0.4002nm),而在950±10℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相(面间距d=0.3984nm).喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α-C3N4,β-C3N4相.

关键词: C3N4晶体 , 微波等离子体化学汽相沉积 , 薄膜

微波水热条件对氧化锌晶体的形态和粒度的影响

江锦春 , 程文娟 , 张阳 , 朱鹤孙 , 沈德忠

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.014

利用微波水热法,以氢氧化锌为前驱物,在反应温度不小于100℃的情况下,成功地制备出氧化锌微晶.研究了水热条件对氧化锌微晶的晶粒大小和形貌的影响.在水热环境下,当反应温度一达到100℃,氧化锌微粒就能快速形成和生长.反应温度在100℃时,延长反应时间(~4h)氧化锌微晶的形貌和晶粒大小均没有受到大的影响;然而,升高反应温度氧化锌微晶的晶粒大小会略微地减小.另一方面,当反应前溶液中的pH值从9增大到12时,氧化锌微晶的形态从不规则的片状颗粒改变到长柱状晶粒.另外,随着溶液中pH值的增加,氧化锌微晶的结晶性变好、粒度变大.合理地解释了反应温度、溶液中的pH值对制得的氧化锌微晶的形态、晶粒粒度的影响.

关键词: 氧化锌微晶 , 微波水热法 , 形态 , 粒度

SiCN薄膜在Si衬底上的沉积

程文娟 , 张阳 , 江锦春 , 朱鹤孙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.008

本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯CH4和N2,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒.用场发射扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对样品进行了表征与分析.结果表明,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2有助于提高样品的成膜质量.所得到SiCN样品是新型的六方结构三元化合物.

关键词: SiCN薄膜 , 微波等离子体化学气相沉积 , 扫描电镜 , X射线光电子能谱 , X射线衍射

金刚石膜在Si(100)衬底上的选择沉积

常开朋 , 程文娟 , 江锦春 , 张阳 , 朱鹤孙 , 沈德忠

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.013

采用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,利用铜网作为模板实现了在Si(100)衬底上金刚石膜的选择沉积.用场发射扫描电子显微镜(SEM)、Raman散射谱对样品进行了表征与分析.并与同样生长条件下未采用模板时得到的金刚石样品进行了比较.结果发现,采用模板后,金刚石膜的成核密度和质量都得到很大提高.

关键词: 金刚石膜 , Si(100)衬底 , 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)

金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

郭一欣 , 陈菲 , 任晓荣 , 程文娟

人工晶体学报

使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ~2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.

关键词: 磁控溅射 , Cu2SnS3 , 硫化 , 光学带隙

高质量金刚石膜在无氧铜衬底上的MPCVD

常开朋 , 程文娟 , 江锦春 , 张阳 , 朱鹤孙 , 沈德忠

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.020

本文采用高纯无氧铜(Cu)片作为基片,用自行设计的微波等离子体化学气相沉积系统,制备出了高质量多晶金刚石膜.用场发射扫描电子显微镜(SEM)、Raman散射谱和X射线衍射谱(XRD)对制备的金刚石膜进行了表征与分析,其结果证明金刚石膜具有较优的质量.

关键词: 金刚石薄膜 , 无氧铜 , 微波等离子体化学气相沉积

BCN薄膜的射频反应溅射法制备与结构特性

岳金顺 , 程文娟 , 蒋钢娟 , 贺德衍 , 陈光华

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.029

本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.

关键词: BCN薄膜 , 射频反应溅射 , 结构和电学特性

在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

孙林林 , 刘宏玉 , 程文娟 , 马学鸣 , 石旺舟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.031

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

关键词: 氧化锌薄膜 , 外延生长 , 过渡层 , 光致发光

微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列

程文娟 , 张阳 , 江锦春 , 朱鹤孙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.008

本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,以CH4, H2, N2作为源气体,以Si棒作为Si源,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列.样品的形貌由场发射扫描电子显微镜(SEM)表征分析.用X射线光电子谱(XPS)、Raman散射谱及X射线衍射(XRD)对样品的键合状态及结构进行表征,结果表明,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物.

关键词: SiCN , 微米棒 , 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)

多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制

贺德衍 , 罗靖 , 程文娟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.027

本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达~1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为~4.4 cm-1的poly-Si薄膜.

关键词: poly-Si薄膜 , 生长表面反应 , 微波等离子体CVD

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