李儒兴
,
龚佳
,
程晋荣
,
孟中岩
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.02.015
研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺杂样品的FoM值仅为60.Cr掺杂陶瓷损耗的急剧降低可归因于Cr3+离子的还原和Cr3+、Cr2+受主行为中和了氧空位的施主行为.
关键词:
无机非金属材料
,
钛酸锶钡
,
Cr掺杂
,
调谐率
,
介电损耗
程晋荣
,
罗来青
,
孟中岩
功能材料
采用改进的溶胶一凝胶技术,在Pt/Ti/TiO2/SiO2/Si(100)基片上制备了压电PZT薄膜,用XRD和APM技术分析了不同热处理工艺条件下PZT薄膜的微观形貌变化及相结构演化,系统测试了PZT薄膜的铁电性能.工艺-结构-性能研究结果表明:快速热处理工艺(RTA)有利于PZT薄膜保持较低的漏电流密度,热处理温度是影响晶粒大小的主要因素,而保温时间则对PZT薄膜的致密性、晶粒均匀度和晶界结合状态以及PZT薄膜的铁电性能有明显影响.在优化热处理条件下,PZT薄膜的剩余极化值(Pr)可达27μC/cm2,漏电流密度为10-7A/cm2.
关键词:
溶胶-凝胶
,
快速热处理
,
PZT薄膜
,
铁电性能
