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TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electron theory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性.根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制.

论固体膜形成纳米管的机理

Oliver G.Schmidt和Karl Eberl在自然杂志上发表了1个重要的发现:几乎对于任何材料的固体薄膜,一旦薄膜从基体上剥离开,几乎在任意部位都可以形成纳米管,这个试验结果可以用TFDC(托马斯-费米尔-迪拉克-程氏)电子理论来解释.

关键词: TFD(托马斯-费米尔-迪拉克) , 电子密度 , 内应力

论位错的稳定存在

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.

关键词: 位错 , Thomas-Fermi-Dirac-Cheng , 极限尺寸

应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.

关键词: 超导电性 , 薄膜 , 对称破缺 , TFDC

论共晶结构的机理

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

本文是Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论对共晶机理的阐述.提出了薄膜两组元之间的化学势差和电子密度差导致系统总能量改变的新思想,给出了研究稳定共晶态的最佳尺寸和能量的方法.

关键词: Thomas-Fermi-Dirac , 共晶 , 内应力 , 化学势 , 电子密度

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纳米复合薄膜特异电容机制探讨

论固体膜形成纳米管的机理

论位错的稳定存在

论薄膜的超导电性

论共晶结构的机理

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