叶超
,
康健
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
方亮
,
陆新华
,
项苏留
功能材料
利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.
关键词:
α-c:F薄膜
,
键结构
,
电子极化
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
黄峰
,
康健
,
杨慎东
,
叶超
,
程珊华
,
宁兆元
,
甘肇强
功能材料
用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.
关键词:
a-C:F薄膜
,
MWECR-CVD
,
光学带隙
,
J-V特性
程珊华
,
宁兆元
,
李戈扬
,
叶超
,
杜伟
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.002
在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联.结果表明,提高微波功率会增加 CHx、 CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加 CHF3的进气量则会加大 F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度.
关键词:
电子回旋共振等离子体
,
氟化非晶碳薄膜
,
四极质谱
,
发射光谱
陈玲玲
,
程珊华
,
宁兆元
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007
在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制备的薄膜中的F/C比较低,CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主,其交联程度高,因而具有较好的热稳定性.
关键词:
a-C:F
,
沉积温度
,
红外吸收谱
,
热稳定性
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022
利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
,
氧分压
康健
,
叶超
,
辛煜
,
程珊华
,
宁兆元
功能材料
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,用苯和三氟甲烷混合气体,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).用红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)分析了a-C:F薄膜的结构.FTIR结果表明,氟主要以C-F、CF2的形式成键形成a-C:F薄膜;XPS结果进一步证明a-C:F膜中存在C-F、CF2键,获得了与FTIR相一致的结果.
关键词:
a-C:F薄膜
,
ECR-CVD
,
键结构
叶超
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
许圣华
功能材料
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.
关键词:
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜
,
介电色散
,
键结构
杜伟
,
程珊华
,
宁兆元
,
叶超
,
辛煜
,
黄松
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.003
使用光强标定的发射光谱( AOES)测量了 CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振( ECR) 放电等离子体中基团的分布状态.实验发现随着 CHF3流量的增加 ,成膜基团 CF、 CF2、 CH等的相 对密度增大 ,而刻蚀基团 F的密度也会增加 ,从而使得 a-C:F薄膜的沉积速率降低.同时红外 吸收谱 (IR)分析表明 ,在高 CHF3流量下沉积的 a-C:F薄膜中含有更高的 C-F键成分.可见 在 a-C:F薄膜的制备中 CHF3/(CHF3+ C6H6)流量比是重要的控制参量.
关键词:
电子回旋共振放电等离子体
,
化学气相沉积
,
氟化非晶碳薄膜
,
发射光谱
