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沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响

缪存星 , 赵占霞 , 栗敏 , 徐飞 , 马忠权

人工晶体学报

利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.

关键词: 射频磁控溅射 , SZO薄膜 , 溅射压强 , 透明导电氧化物

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