杨扬
,
田景华
,
罗仲梓
,
吴孙桃
,
田中群
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.071
将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命.利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线.
关键词:
分子电子学
,
机械可控裂结法
,
单分子电导
,
牺牲层
,
微加工
吴清鑫
,
陈光红
,
于映
,
罗仲梓
功能材料
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
PECVD
,
氮化硅
,
聚酰亚胺
,
残余应力
,
射频MEMS开关
