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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

张波 , 陈静 , 魏星 , 武爱民 , 薛忠营 , 罗杰馨 , 王曦 , 张苗

功能材料

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.

关键词: 氮化镓 , 绝缘体上硅 , 侧向外延