胡强
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魏同波
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段瑞飞
,
羊建坤
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霍自强
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卢铁城
,
曾一平
稀有金属材料与工程
采用镀Ti插入层在氢化物外延设各中制各了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 aresee:5K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量.
关键词:
氮化镓
,
氢化物气相外延
,
自支撑厚膜
,
应力释放
,
荧光
任丙彦
,
刘晓平
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李彦林
,
王敏花
,
羊建坤
,
许颖
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.018
工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45～1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400～800 nm)透过率为91.9%,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
关键词:
磁控溅射
,
ITO薄膜
,
溅射气压
,
低温
