刘正堂
,
耿东生
,
宋建全
,
朱景芝
,
郑修麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2000.02.016
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
关键词:
GexC1-x薄膜
,
磁控反应溅射
,
薄膜结构
宋建全
,
刘正堂
,
耿东生
,
郑修麟
材料导报
镀膜是保证红外窗口和头罩使用性能的关键技术.重点结合作者近几年的研究,介绍了类金刚石(DLC)、碳化锗(GexC1-x)、磷化物(BP、GaP)、金刚石(Diamond)等几种薄膜材料及其膜系的光学性能.
关键词:
红外
,
增透保护薄膜
,
膜系
张敏刚
,
金志浩
,
严隽民
,
耿东生
,
张宝昌
中国稀土学报
为了解Ce对铝锂合金力学性能各向异性的影响,对不同Ce含量2090铝锂合金织构进行了ODF(取向分布函数)测算,对合金不同方向性能进行了测量,分析了Ce对合金织构和力学性能的影响.2090铝锂合金主织构类型为{225}<554>,Ce不改变合金主织构类型,但造成主织构类型分布漫散;由于Ce降低了增加屈服强度各向异性织构成分的含量,故Ce可改变2090铝锂合金理想织构成分的体积分数,减小屈服强度各向异性.
关键词:
稀土
,
铝锂合金
,
力学性能
宋建全
,
刘正堂
,
郭大刚
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.10.008
利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构.设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5μm波段对ZnS衬底具有明显的增透效果.制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.
关键词:
GaP薄膜
,
射频磁控溅射
,
增透保护膜系
郭大刚
,
刘正堂
,
宋健全
,
耿东生
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.03.010
采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.
关键词:
红外窗口
,
硫化锌
,
磷化镓
,
磁控溅射
宋建全
,
刘正堂
,
于忠奇
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.004
利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.
关键词:
沉积速率
,
磁控反应溅射
,
靶中毒
,
原子百分比
孟亮
,
耿东生
,
郑修麟
金属学报
测定了含不同浓度有害杂质及Ｃｅ的８０９０合金薄板不同方向力学性能及断裂性能．结果表明：Ｆｅ，Ｓｉ使各方向的断裂韧性下降，并使４５°方向上的裂纹启裂阻力下降，Ｎａ，Ｋ除对Ｔ－Ｌ方向的启裂阻力不造成明显损害外，能够损害各方向的断裂性能．在合金中添加０．０９％Ｃｅ即可显示有益的合金化作用；如果添加０．２８％Ｃｅ，可明显改善含一定量Ｆｅ，Ｓｉ的合金薄板各方向的断裂性能，其主要原因在于Ｃｅ可通过使再结晶组织均匀，细化晶粒，减少晶界析出相及改善断裂过程等机制抑制杂质对断裂性能的危害．
关键词:
Ａｌ－Ｌｉ合金
,
impurity
,
Ce
,
fracture behaviour
李阳平
,
刘正堂
,
耿东生
功能材料
用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程.模拟结果包括溅射原子输运到衬底时的能量、入射角和入射位置.由模拟结果知,溅射原子输运主要受P×d影响(P为真空室气压,d为靶基距),P×d愈大输运到衬底的溅射原子愈少,且能量愈小;溅射原子到达衬底时,能量集中在几电子伏范围内,且在能量很低的区域有分布峰;角度分布主要集中在垂直方向,这与从靶面出射时的分布相似,但垂直方向的分布有所减小;位置分布与从靶面出射时相比,分布范围在径向扩大、趋于均匀化,但主要在靶直径范围内.
关键词:
计算机模拟
,
溅射
,
输运
,
溅射原子
