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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹 , 高艳涛 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 侯国付 , 薛俊明 , 张德坤 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.013

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31%.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 微晶硅薄膜 , 傅立叶变换红外吸收

纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响

张晓丹 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 高艳涛 , 孙建 , 侯国付 , 薛俊明 , 张德坤 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.004

本文采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响.电学特性和结构特性测试结果表明:在10W的功率条件下,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料;在30W时,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大,光敏性也相应的降低,50W的条件表现出相类似的结果,初步分析是氧引起的差别;激活能的测试结果也表明,使用纯化器会降低材料中的氧含量,即表现激活能相对大;另外,沉积速率的测试结果也给出:耗尽区所在位置与是否使用纯化器有很大关系.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 纯化器 , 硅薄膜

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

张晓丹 , 朱锋 , 赵颖 , 侯国付 , 魏长春 , 孙建 , 张德坤 , 任慧志 , 薛俊明 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.033

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 氢化微晶硅薄膜 , 傅立叶变换红外光谱 , X射线衍射 , 微区喇曼光谱

薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

朱锋 , 赵颖 , 魏长春 , 任慧智 , 薛俊明 , 张晓丹 , 高艳涛 , 张德坤 , 孙建 , 耿新华

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.018

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253cm2.

关键词: 非晶/微晶叠层电池 , 微晶硅 , N/P隧穿结

高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

侯国付 , 郭群超 , 王岩 , 薛俊明 , 任慧志 , 宋建 , 张晓丹 , 赵颖 , 耿新华 , 李以钢

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.007

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.

关键词: 微晶硅 , 太阳电池 , 高压 , 氧施主掺杂

微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究

张晓丹 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 吴春亚 , 高艳涛 , 孙建 , 侯国付 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.018

本文研究了采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大;不同衬底其非晶孵化点是不一样的,对于同一种衬底,绒度大相应的晶化率就大,对应着孵化层的厚度小;AFM测试结果明显的给出:材料的结构随厚度增加发生变化.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 纵向均匀性 , 微晶硅薄膜

薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究

陈新亮 , 王斐 , 闫聪博 , 李林娜 , 林泉 , 倪牮 , 张晓丹 , 耿新华 , 赵颖

材料导报

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本.磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如“弹坑”状和“类金字塔”状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点.

关键词: 镀膜技术 , TCO薄膜 , 绒面结构 , 高迁移率 , 缓冲层 , 梯度掺杂 , 薄膜太阳电池

太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展

陈新亮 , 田淙升 , 赵慧旭 , 杜建 , 张德坤 , 魏长春 , 耿新华 , 赵颖 , 张晓丹

材料导报

主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductiveoxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展.主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、修饰层改善ZnO薄膜表面技术、梯度杂质掺杂技术、复合特征尺寸生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等.此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(Light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望.

关键词: 太阳电池 , 绒面结构 , ZnO-TCO薄膜 , 光管理 , 薄膜技术

优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

张晓丹 , 赵颖 , 高艳涛 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.039

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池.电池的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加.文中对具体内容进行了详细的分析.

关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 , 气体流量 , 硅烷浓度

P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用

朱锋 , 魏长春 , 张晓丹 , 高艳涛 , 孙建 , 王岩 , 韩晓艳 , 赵颖 , 耿新华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.006

采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加.将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/Al, 厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%).

关键词: VHF-PECVD , 微晶硅 , 太阳电池

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