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薛书文 , 梅芳 , 肖世发 , 黄子康 , 莫东
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.008
ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.
关键词: 氧化锌 , 离子注入 , 掺杂
