陈之战
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施尔畏
,
肖兵
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庄击勇
材料导报
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响.对今后的研究方向提出了看法.
关键词:
SiC
,
单晶生
,
长PVT法
李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00238
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体, 测量了从室温到400℃的拉曼光谱. 由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减, 导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动, 并且发生展宽. 随着温度升高, Al掺杂样品中的等离子体激元增加, 使得样品中自由载流子浓度增大, 由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用, 导致Al掺杂样品的A1模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变. 通过拉曼光谱与霍耳效应测量, 从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
high temperature Raman spectra
,
doping
,
free carrier
吴也
,
陈洪
,
张荔
,
肖兵
,
李晓东
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2009.03.008
采用量子化学计算软件Material Studio的Morphology模块,运用BFDH法则对单斜Eu2O3颗粒的纳米晶形貌进行详细的预测,对其纳米化的最佳尺度进行充分的探讨,模拟计算显示单斜Eu2O3纳米晶的(001)面为最易外显面,显示几率为41.64%.通过对其纳米晶尺度的探讨,得出单斜Eu2O3纯组分的最佳粒径为130nm.
关键词:
单斜Eu2O3
,
晶体形貌预测
,
BFDH法
,
纳米
,
最佳尺度
严成锋
,
施尔畏
,
陈之战
,
李祥彪
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00425
选用钒掺杂浓度为0.2at％的高质量6H-SiC晶体, 电阻率为7.0×108Ω·cm, 研制出超快大功率SiC光导开关. 在脉冲宽度为20ns的光源激发下, 分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性. 结果表明: 1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越, 耐偏压高, 光导电脉冲的上升时间快(6.8ns), 脉宽<20ns, 稳定性好. 负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大, 在2.5kV的偏置电压, 最大瞬时电流约为57.5A, 瞬时功率高达132kW.
关键词:
碳化硅
,
vanadium-doped
,
semiinsulating
,
photoconductive semiconductor switches
胥小丽
,
魏范松
,
肖兵
,
杨志轩
,
王想花
金属功能材料
doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2015068
通过HVDS-П高真空甩带机熔炼制备一种能快速水解制氢的Al-Ni合金,考察了合金成分以及碱溶液浓度对铝水解制氢性能的影响.由水解曲线和XRD结果表明,添加一定量的Ni能有效的提高合金的活性,常温下该系列合金与水反应迅速.在20％浓度的KOH溶液中,反应速率由纯Al的1.53 mL/(min·cm2)增加到Al-3％Ni合金的2.31 mL/(min·cm2),同时显著地减少了制氢反应时间,Al-4％Ni合金能在60 min内反应完全,而纯Al需要140 min,反应时间是Al-4％Ni合金的2倍.由不同的碱溶液浓度得到的实验结果显示,碱浓度提高能直接加快反应速率.Al-4％ Ni合金由1.99 mL/(min·cm2) (15％ KOH)增大到3.0 mL/(min·cm2) (25％KOH).
关键词:
铝镍合金
,
水解性能
,
反应速率
,
制氢产率
,
碱浓度
陈之战
,
肖兵
,
施尔畏
,
庄击勇
,
刘先才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词:
碳化硅单晶
,
晶体生长
,
PVT法
,
微管道
李祥彪
,
施尔畏
,
陈之战
,
肖兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.007
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增加,使得样品中自由载流子浓度增大,由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用,导致Al掺杂样品的Ai模强度显著降低而非掺杂样品几乎不变.通过拉曼光谱与霍耳效应测量,从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
关键词:
碳化硅单晶
,
变温拉曼光谱
,
掺杂
,
自由载流子
