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新型有机热释电晶体--酒石酸铵系列晶体研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.006

本文从晶体结构对称性的观点出发,寻找新型有机热释电晶体材料,选取了具有P21空间群结构的酒石酸铵系列晶体作为研究对象,用水溶液缓慢降温法生长了酒石酸铵及其掺质酒石酸铵晶体,掺质分别为尿素、溴化铵和甘氨酸,研究了晶体生长形态并作了比较.测定了酒石酸铵系列晶体的红外光谱、晶胞参数和主要热释电性能.发现酒石酸铵系列晶体的热释电性能,其品质因子具有与TGS晶体相同的数量级.

关键词: 有机热释电晶体 , 溶液法生长晶体 , 酒石酸铵系列晶体 , 热释电性能

Mn2-xFexP1-yGey（x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26）磁制冷材料的制备工艺及磁热性能研究

张虎 , 刘丹敏 , 王少博 , 肖卫强 , 张振路 , 岳明 , 张久兴

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.011

利用机械合金化和放电等离子烧结技术制备了Mn2-xFexP1-yGey(x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26)磁制冷材料。采用XRD、中子衍射及 SEM分析手段,系统研究了该系列材料的成相与球磨时间、烧结温度、烧结压力和保温时间的关系。分析了烧结样品的相结构和显微组织,发现随着烧结温度的升高杂质相逐渐减少,形成了稳定的该系列磁制冷材料的制备工艺。对不同组分 Mn2-x Fex P1-y Gey 合金的相变过程和磁热性能进行了分析,其中 Mn1.2 Fe0.8 P0.74 Ge0.26的居里温度为277.4K 接近于室温区间,滞后为3K、熵变为21.5J/(kg·K),是一种较理想的磁制冷工质材料。

关键词: 放电等离子烧结 , 室温磁制冷材料 , 居里温度 , MnFePGe系

掺质TGS系列晶体生长与性能研究

王希敏 , 韦建环 , 张红 , 肖卫强 , 常新安 , 臧和贵 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.005

采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.

关键词: 掺质TGS系列晶体 , 溶液晶体生长 , 生长形态 , 热释电性能

双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究

常新安 , 臧和贵 , 肖卫强 , 张晓红 , 江少林 , 王希敏 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.003

本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+和Nb5+KTP(KTNNP)晶体，以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数，以等离子发射光谱(ICP-AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示，掺Nd3+和Nb5+后，KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化，而且体系中Nd3+的分配系数明显增大，并随Nb5+浓度的增大而增大，从而体现了Nb5+对Nd3+的协同效应。另外，掺质后，晶体的单胞体积一般略有增大，但未呈现出规律性。

关键词: KTNNP晶体 , 生长习性 , 晶体形态 , 分配系数 , 协同效应

掺三氟乙酸TGS晶体生长及其性能研究

常新安 , 艾琳 , 臧和贵 , 肖卫强 , 涂衡

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.046

本文以三氟乙酸作为掺质,分别按4.4mol%、9.4mol%、13.4mol%、18.4mol%的配比进行了掺质TGS晶体生长,并对其作X射线粉末衍射分析及晶体热释电性能的测试.结果表明,三氟乙酸的掺入虽然使热释电性能有一定程度下降,但却使得晶体铁电-顺电相转变延迟,提高了晶体的居里点,并产生了一定的内偏压场.

关键词: 三氟乙酸 , TGS晶体 , 晶体生长 , 居里点

Al3+:KTP晶体生长及其相关性质研究

常新安 , 华晓晓 , 臧和贵 , 陈学安 , 肖卫强 , 代美娟

人工晶体学报

采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数.采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势.

关键词: Al3+:KTP晶体 , 分配系数 , 晶胞参数 , 倍频效应

DKDP晶体亚稳相生长研究

常新安 , 王希敏 , 肖卫强 , 臧和贵 , 张克从

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.009

本文通过大量DKDP晶体亚稳相生长实验,对影响DKDP亚稳相生长体系稳定性、晶体生长速率和质量的因素进行了研究,并简要探讨了其影响机理,提出了消除或减弱不利影响的措施,为生长优质大尺寸DKDP晶体提供了依据.

关键词: 非线性光学晶体 , DKDP晶体 , 亚稳相生长 , 溶液晶体生长 , 生长机理

Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

臧和贵 , 常新安 , 张书峰 , 陈学安 , 肖卫强

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.039

采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

关键词: Ga3+:KTP晶体 , 分配系数 , c向电导率