韦海成
,
许亚杰
,
肖明霞
,
吉文欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0467
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.
关键词:
MgO晶体
,
二次电子发射系数
,
第一性原理
,
直接沉淀法
