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利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储

彭进 , 胡冰 , 胡承勇 , 卞松保 , 杨富华 , 郑厚植

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.008

利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实.如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts.同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子"读出"仍可以保持很快.

关键词: 异质结 , Γ-X混合 , C-V特性

钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究

孙红婵 , 胡冰 , 张桓 , 李晨辉 , 王鑫阁 , 张红松

硅酸盐通报

采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.

关键词: 碳化硅 , 钨丝 , 烧结工艺

NaAlO2-K2ZrF6体系铝合金微弧氧化膜层组织及性能研究

吴振东 , 张剑 , 胡冰 , 姚忠平 , 姜兆华

硅酸盐通报

在NaAlO2-K2ZrF6组成的电解液体系中,利用微弧氧化的方法在LY12铝合金的表面制备陶瓷膜.结果表明,膜层由α-Al2O3、γ-Al2O3和分布于膜外层的c-ZrO2组成,沿膜层截面由内向外α-Al2O3减少,γ-Al2O3和c-ZrO2增加.8 g/L NaAlO2-1 g/L K2ZrF6体系与NaAlO2体系的膜层比较,具有更大的硬度和更好的耐磨性及耐腐蚀性能:最大硬度提高了25.69%,磨损率下降了64.29%,摩擦系数略有下降,腐蚀电流密度降低了96.34%.

关键词: 铝合金 , 微弧氧化 , 陶瓷膜 , 性能

冷拉程度对聚丙烯微孔膜结构和性能的影响

吴术球 , 雷彩红 , 石文强 , 胡冰 , 蔡启 , 莫海彬

高分子材料科学与工程

采用熔融拉伸法制备聚丙烯微孔膜,研究了不同冷拉程度对微孔膜微观结构和性能的影响.采用差示扫描量热仪、扫描电镜、毛细管流动分析仪测试后发现,随着冷拉拉伸比的增大,微孔膜拉伸曲线塑性平台减弱,对应差示扫描量热曲线中由于热定型过程结晶带来的吸热平台减弱.冷拉拉伸比为15%时,微孔膜具有较好的微观结构和透气性,冷拉拉伸比达到60%时,微孔分布和排列变差,孔径变小,孔隙率降低,透气性变差.热处理过程中由于Tie链结晶形成的不稳定结构在冷拉后转变为连接分离片晶的架桥,随着冷拉拉伸比的增大,这部分转变越彻底,但同时也带来片晶结构崩溃,导致孔径减小,性能变差.

关键词: 聚丙烯 , 微孔膜 , 冷拉 , 片晶结构 , 架桥 , Tie链

镧系金属掺杂MCM-41分子筛的合成与表征

胡冰 , 施剑林 , 陈航榕

无机材料学报

采用溶胶-凝胶法制备并分析了掺杂铈、钕、铕、铒的MCM-41介孔材料,运用XRD、HRTEM、EDS和BET等方法考察了镧系金属元素掺杂对MCM-41结构的影响.研究结果表明,镧系金属元素掺杂到了MCM-41试样的骨架结构中.由于材料结构中的一部分Si4+Ln3+所取代,介孔材料的有序孔道d值随着掺杂镧系离子半径的减小而降低,随着镧系元素掺杂量的增加而上升.

关键词: 镧系金属元素 , MCM-41 , incorporation

镧系金属掺杂MCM-41分子筛的合成与表征

胡冰 , 施剑林 , 陈航榕

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.012

采用溶胶-凝胶法制备并分析了掺杂铈、钕、铕、铒的MCM-41介孔材料,运用XRD、HRTEM、EDS和BET等方法考察了镧系金属元素掺杂对MCM-41结构的影响.研究结果表明,镧系金属元素掺杂到了MCM-41试样的骨架结构中.由于材料结构中的一部分Si4+被Ln3+所取代,介孔材料的有序孔道d值随着掺杂镧系离子半径的减小而降低,随着镧系元素掺杂量的增加而上升.

关键词: 镧系金属元素 , MCM-41 , 掺杂

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