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低温纯Ar气中Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成与性能的影响

胡前库 , 于栋利 , 漆汉宏 , 孙雅馨 , 王天生 , 何巨龙 , 刘世民 , 李东春 , 田永君

功能材料

研究了高压Ar气氛中750℃低温下Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成及其性能的影响.结果表明采用名义比为Tl1.9Ba2Ca2Cu3Oy的混合物作铊源时,生成的Tl2O分压达到最佳值.在该Tl2O分压下,获得了单相c取向的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜,其Tc值达到108K;高于该分压时,薄膜中出现Tl2Ca3O6、Tl2O3等杂相,导致膜面粗糙度增大和Tc值下降;低于最佳Tl2O分压,薄膜中生成了Tl2Ba2CaCu2O8和Tl2Ba2Ca2Cu3O10的共生相,导致Tc值下降;而Tl2O分压的进一步降低,则薄膜在铊化中不形成超导相.

关键词: 超导薄膜 , 铊系 , 氩气 , 氧化铊

六方(B1-xCx)N多晶粉末的化学合成

何巨龙 , 田永君 , 于栋利 , 刘世民 , 李阿丹 , 胡前库 , 李东春

金属学报

采用硼酸(H3BO3)和三聚氰胺(C3N6H6)合成单相六方B-C-N多晶粉末,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HREM)和电子能量损失谱(EELS)对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行了分析.结果表明,H3BO3和C3N6H6的配比对产物的组成有较大影响.当二者的质量比为1:2时,可以得到单相六方B-C-N多晶固溶体,其晶格参数a=0.251 nm,c=0.666 nm.从HREM照片观察到层片结晶性较好,而且晶体结构完整.用EELS分析得到产物的化学成分为(B1-xCx)N,其中x=0.09-0.18.

关键词: B-C-N , null , null

六方(B1-xCx)N多晶粉末的化学合成

何巨龙 , 田永君 , 于栋利 , 刘世民 , 李阿丹 , 胡前库 , 李东春

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.07.017

采用硼酸(H3BO3)和三聚氰胺(C3N6H6)合成单相六方B-C-N多晶粉末,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HREM)和电子能量损失谱(EELS)对合成产物的结构、晶体学参数、成分等进行了分析.结果表明,H3BO3和C3N6H6的配比对产物的组成有较大影响.当二者的质量比为1:2时,可以得到单相六方B-C-N多晶固溶体,其晶格参数a=0.251 nm,c=0.666 nm.从HREM照片观察到层片结晶性较好,而且晶体结构完整.用EELS分析得到产物的化学成分为(B1-xCx)N,其中x=0.09-0.18.

关键词: B-C-N , 化学合成 , 晶体结构

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

王天生 , 田永君 , 于栋利 , 迟振华 , 胡前库 , 罗晓光

稀有金属材料与工程

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.

关键词: MgB2薄膜 , 微观结构 , 超导电性 , 热丝化学气相沉积

Mo掺杂对TiAl合金物性影响的第一性原理研究

王海燕 , 历长云 , 李旭升 , 胡前库 , 杨印

稀有金属材料与工程

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了金属元素Mo掺杂对TiAl合金体系力学性能的影响.根据计算得到的不同浓度掺杂体系的晶格常数、弹性常数、体弹模量及剪切模量发现,Mo掺杂能较好地改善TiAl合金的延性.从Mo掺杂后TiAl体系的分波电子态密度和电荷密度图,发现Ti原子的s、p、d电子均与邻近的Mo原子发生强烈的s-s、p-p、d-d电子相互作用,有效地束缚了合金中Ti和Al原子的迁移,有助于提高合金的稳定性和强度.

关键词: TiAl合金 , 掺杂 , 力学性能 , 第一性原理

化学还原法制备六方B-C-N化合物

孙广 , 吴庆华1 , 胡前库 , 于栋利

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01067

采用氰尿酰氯和三溴化硼为原料, 金属钠为还原剂, 通过化学还原法在450℃合成了B-C-N化合物. 利用X射线衍射(XRD), 透射电子显微镜(TEM), 选区电子衍射(SAED), 电子能量损失谱(EELS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对合成的样品进行了表征. 分析结果表明, 所合成的B-C-N化合物具有六方多晶结构, 其成分为B0.5C0.07N0.43.

关键词: 六方B-C-N化合物 , chemical reduction synthesis method , X-ray diffraction , electron energy loss spectroscopy

乱层石墨结构的硼碳氮化合物在高温高压下的晶化与分相

吴庆华 , 胡前库 , 孙广 , 罗晓光 , 何巨龙

功能材料

以硼酸和三聚氰胺为原料,采用化学法制备了乱层石墨结构的B-C-N化合物.在5.5GPa、800~1500℃条件下对该化合物进行了高温高压处理.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及电子能量损失谱(EELS)对所制备的样品进行了结构、形貌和成分分析.研究结果表明:在5.5GPa压力下,随着温度的升高,B-C-N化合物逐渐由乱层石墨结构转变为六方结构,在1200℃时,得到了结晶较好的六方B-C-N化合物,同时样品中含有少量的六方BN和非晶C.当温度高于1400℃,B-C-N化合物完全分解成六方BN和石墨.

关键词: 六方B-C-N , 高温高压 , 晶化 , 分相

类石墨层状硼碳化合物的导电和抗氧化性能的研究

胡前库 , 吴庆华 , 罗晓光 , 孙广 , 何巨龙

功能材料

通过高温高压方法制备了一种晶化程度较高的类石墨层状BC3化合物.在5.5GPa压力条件下,温度越高,制得的硼碳样品晶化越好,电阻率越小.在1500℃、5.5GPa下制得的层状硼碳样品的电阻率ρ=1.2×10-4Ω·m,略大于同等条件下制备的纯碳样品的电阻率ρ=1.1×10-4Ω·m.这种层状硼碳化合物在620℃左右开始氧化,比纯碳样品的初始氧化温度高大约100℃,替代的硼明显的改善了碳的抗氧化性能.

关键词: 层状硼碳化合物 , 电阻率 , 高温高压 , 抗氧化

化学还原法制备六方B-C-N化合物

孙广 , 吴庆华 , 胡前库 , 于栋利

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.041

采用氰尿酰氯和三溴化硼为原料,金属钠为还原剂,通过化学还原法在450℃合成了B-C-N化合物.利用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED),电子能量损失谱(EELS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对合成的样品进行了表征.分析结果表明,所合成的B-C-N化合物具有六方多晶结构,其成分为B0.5C0.07N0.43.

关键词: 六方 , B-C-N , 化合物 , 化学还原法合成 , XRD , 电子能量损失谱

二维结构MXene温和制备及吸附催化领域的应用

刘凡凡 , 周爱国 , 陈进峰 , 王李波 , 张恒 , 胡前库

兵器材料科学与工程

综述类石墨烯二维结构MXene的制备方法、性能和应用方面的研究新进展.提出一种相对温和的制备方法,用氟化锂与盐酸代替高腐蚀性的氢氟酸制备新型过渡金属碳化物或碳氮化合物.分析描述该体系的电学性能、热稳定性与力学性能.介绍这种新材料的广泛应用,重点探讨其在吸附、催化等领域的应用.认为随着制备方法的改善以及对微观结构的深入认识,这种材料可应用于更多重要领域.

关键词: MXene , 类石墨烯 , 性能 , 新进展 , 应用

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