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化学溶液工艺制备多晶钼酸钙薄膜

胡国兵 , 余萍 , 肖定全 , 王欢 , 刘洋

稀有金属材料与工程

利用化学溶液途径成功地制备出了符合化学计量比的钼酸钙多晶薄膜.通过旋涂技术将薄膜沉积在Si(100)或载玻片上,并利用SEM技术表征了薄膜的表面形貌,以及薄膜的表面随退火温度变化的特征.X射线衍射结果显示,在溶液中,钼酸钙化合物就已直接生成而不需经过任何中间过程.退火温度对钼酸钙薄膜微观结构的影响研究表明,当退火高于550℃时薄膜的生长具有择优取向特征.钼酸钙薄膜的拉曼光谱测试结果进一步表明了钼酸钙薄膜的四方相结构特征以及薄膜微观结构的均一性.此外,本文还报道了不同温度下测得的钼酸钙薄膜在紫外光激发下的光致发光性质,其研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸钙薄膜具有一个宽的(~200 nm)绿光发射带.

关键词: 钼酸钙 , 薄膜 , 化学溶液工艺

γ-Al2O3基纳米陶瓷气敏元件稳定性研究

余萍 , 王欢 , 杨志华 , 胡国兵 , 肖定全

功能材料

报道对采用纳米粉料制作的γ-Al2O3基气敏元件的稳定性的研究结果.分别采用纳米粉料和微米级粉料制备了γ-Al2O3基气敏元件,该气敏元件对碳氢化合物还原性气体敏感;连续17个月测定了这些气敏元件对甲烷的气敏特性;通过XPS等技术分别在3个阶段对这两种元件的表面化学元素含量进行了表征.结果表明,元件失效的原因之一是由于在气敏反应过程中由于部分反应产物在表面沉积造成表面活性位减少,并导致吸附能力下降所致;而元件失效或不稳定与使用过程中元件表面有沉积物有关.通过以上研究工作,找出了利用纳米粉料制备气敏元件失效快和长期工作稳定性差的部分原因,为该类材料的进一步发展提供实验依据.

关键词: 纳米晶陶瓷 , 气敏传感器 , 气敏元件稳定性

强磁场对过共晶铝硅合金中初晶Si分布的影响

连峰 , 李廷举 , 胡国兵 , 金俊泽

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.12.010

对Al-18% (质量分数) Si合金进行磷盐变质处理,分别在变质剂反应温度保温20,40min,发现不施加强磁场条件下,凝固组织中的初晶Si相集中在试样周边附近,试样中心处为共晶组织.施加强磁场条件下,凝固组织中的初晶Si相分布在整个试样中.施加强磁场后试样中的初晶Si的尺寸比没有被施加强磁场的试样中的初晶Si尺寸大.

关键词: 强磁场 , 变质处理 , 初晶Si , 共晶组织

钼酸铋薄膜的化学溶液制备技术及其性能表征

郭吾卿 , 余萍 , 肖定全 , 胡国兵 , 田云飞 , 刘洋

稀有金属材料与工程

使用化学溶液制各技术在硅(100)衬底上制备出符合化学计量比的钼酸铋(α相)薄膜.采用X射线衍射(XRD)分析的研究结果表明,所制备的薄膜具有单一的单斜晶相结构:利用原子力显微镜(AFM)对其表面形貌进行表征,验证了实验过程中溶剂的改变对薄膜结构和表面形貌产生的影响;使用荧光发射仪研究了薄膜在室温下的发光特性.结果表明,通过化学溶液制备技术可以制备出具有单一晶相的钼酸铋(α相)薄膜,该薄膜具有良好的光致发光特性.

关键词: Bi2(MoO4)3薄膜 , 化学溶液工艺 , 钼酸盐

SrMoO4薄膜的化学溶液制备技术和发光性质研究

刘洋 , 余萍 , 肖定全 , 郭吾卿 , 田云飞 , 胡国兵

稀有金属材料与工程

利用化学溶液技术制备了具有单一白钨矿结构的SrMoO4多晶薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶相结构,用红外光谱(IR)对薄膜的均一性进行了表征,用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了观察.采用荧光光谱仪测试了所制SrMoO4薄膜在不同温度下的光致发光特性.研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸锶薄膜室温条件下显示出良好的光致发光特性,呈现宽带(~300 nm)的发光特征.另外,光致发光光谱的峰值呈现出明显的温度漂移特性,从511 nm(11 K)变化到484 nm(293 K).此外,本文还讨论了SrMoO4薄膜在闪烁材料和紫外成像薄膜材料方面的可能应用.

关键词: 钼酸锶 , 化学溶液工艺技术 , 薄膜

基于SOPC的彩色液晶显示控制器的设计

高恭娴 , 胡国兵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.015

使用片上系统(SOC)和可编程片上系统(SOPC)的设计方法,利用嵌入Nios软核的FPGA产品,根据TFT彩色液晶显示要求,提出彩色液晶显示器控制器软核设计的完整方案,成功设计出数字信号综合测试仪.给出的显示点、图、汉字程序对各种需液晶显示的仪器仪表设备的设计有一定的参考作用.

关键词: 彩色液晶 , SOPC系统 , DMA传输 , Nios软核 , Avalon总线

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