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利用离子束增强沉积技术，在Ｓｉ（１１１）和ＧＣｒ１５轴承钢基体上沉积Ｃｒ Ｎ镀层研究氮分压、Ｎ^＋＋Ｎ^＋_２离子轰击能量和Ｎｉｏｎｓ Ｃｒａｔｏｍｓ到达比对镀层组织结构的影响结果表明，Ｃｒ- Ｎ镀层组织对氮分压敏感，随着氮分压的增加，镀层中ＣｒＮ组份增加，金属Ｃｒ及Ｃｒ_２Ｎ组份减少；随着氮离子轰击能量的增加，Ｃｒ- Ｎ镀层中ＣｒＮ（２００）择优生长；但当Ｎｉｏｎｓ/Ｃｒａｔｏｍｓ比从１４５ ×１０ ^{－２} 增至５.８７ ×１０ ^{－２} 时，镀层中ＣｒＮ组份非但没有增多，反而使镀层中的Ｃｒ以Ｃｒ_２Ｏ_３形态存在.

关键词: 离子束增强沉积 , null , null , null

均相沉积法制备金属基纳米TiO2膜的杀菌性能

余历军 , 朱晓东 , 胡奈赛 , 何家文 , 张秀成

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.012

采用均相沉积法在不锈钢表面制得均匀透明的多孔TiO2纳米膜材料.用TEM、XRD、TG-DTA、GB 15979-2002等方法对膜及杀菌性能进行了研究.结果表明:膜材料为均匀的多孔锐钛矿型TiO2膜;TiO2晶粒大小在10～30nm;该膜对大肠杆菌、白色念珠菌、金黄色葡萄球菌在30min内的杀菌率均达到90.00%以上.

关键词: 均相沉积法 , 不锈钢 , 纳米TiO2膜 , 杀菌性能

钛合金种植体临床断裂的原因分析

王勤涛 , 张玉梅 , 胡奈赛 , 彭式韫

稀有金属材料与工程

钛合金髓腔-骨内种植体固定15年后发生断裂,分别取出牙槽骨内和髓腔内的2部分种植体,做扫描电镜超微结构观察和材料表面附着物的元素能谱分析,结果发现2部分种植体断端均有疲劳源区,呈现典型的慢速和快速扩展区,同时经元素能谱分析证实在骨内段部分的螺纹内的沉积物中的Ca、P等成分含量比例明显增高,而髓腔内部分断端未见类似结果.证实种植体与骨组织间有良好的生物相容性和骨整合性,种植体断裂主要与长期人体内应用后的材料疲劳相关,术后维护治疗也有重要影响.

关键词: 钛合金 , 超微结构 , 种植体 , 疲劳

残余压应力场中裂纹扩展的闭合模型

李航月 , 胡奈赛 , 何家文 , 周惠久

金属学报

分析了残余压应力对裂纹闭合的影响机理，在此基础上建立残余应力场中裂纹扩展闭合力的预测模型，讨论了裂纹闭合的尺寸效应，将模型延伸至短裂纹和表面裂纹的范围．对形变强化组织影响闭合进行了讨论

关键词: 残余应力 , crack closure , crack propagation

用球滚接触疲劳法评定硬质薄膜的结合强度

朱晓东 , 黄鹤 , 胡奈赛 , 何家文

金属学报

采用滚动接触疲劳法对气相沉积硬质薄膜的结合强度进行了研究. 结果表明, 反映膜基结合强度的力学参量为界面最大剪应力幅. 采用数值计算的方法, 可以定量得到膜基界面处的应力分布.

关键词: 薄膜 , null , null , null

无压渗透法制备铸造表面复合材料

张晓玲 , 秦绪波 , 孟庆华 , 胡奈赛 , 何家文

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.1999.03.011

提出用无压渗透法制备铸造表面复合材料的新方法.通过预先制备带有孔隙的硼铁合金预制块,用普通浇注的方法,获得以灰铸铁为基的铸造表面复合材料.复合层从化合物层到亚共晶层的厚度达8 mm,其组织和硬度由表层向基体呈梯度分布,表面化合物及过共晶层的耐磨性优于Cr12型高铬铸铁.

关键词: 表面复合材料 , 铸渗硼

残余压应力场中疲劳短裂纹扩展模型及实验

崔振旗 , 徐可为 , 胡奈赛

金属学报

结合实验讨论了残余应力对裂纹扩展作用的模型及其存在的问题．指出用公式ΔＫ＿（ｅｆｆ）＝（Ｋ＿（ｍａｘ）＋λＫ＿ｒ）－Ｋ＿（ｏｐ）可较准确地计算出残余压应力场中裂纹的扩展速率．残余压应力既使裂纹闭合力提高，又使最大应力强度因子降低，两者均使裂纹扩展驱动力ΔＫ＿（ｅｆｆ）减少，因而降低了裂纹的扩展速率．

关键词: 残余应力 , short fatigue crack , crack growth rate

r.f.PCVD法制备c-BN膜的研究

张晓玲 , 胡奈赛 , 何家文

无机材料学报

采用ＦＴＩＲ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术，对在渗硼层表面经ｒ.ｆ. ＰＣＶＤ沉积的ＢＮ膜进行了研究试验证明，与采用Ｎ_２气和Ｈ_２气相比，以Ａｒ＋１０ｖｏｌ％Ｈ_２作为载气，所获得的膜层ｃ-ＢＮ含量最高，膜厚最大，可达４.６μｍ，且膜基结合良好而以Ｎ_２气或Ｈ_２气为载气时，前者会导致膜基结合力大大下降，后者会引起沉积速度明显降低结果表明，对于ＰＣＶＤ过程，控制ｃ- ＢＮ形成的主要因素是离子轰击能量的转移，而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由ａ- ＢＮ和ｃ- ＢＮ组成，ｃ- ＢＮ的尺寸为２０～４０ｎｍ

关键词: c-BN膜 , null , null

PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析

张晓玲 , 胡奈赛 , 何家文

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.013

采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.

关键词: 立方氮化硼 , 薄膜形成 , 等离子体化学气相沉积(PCVD) , 超硬材料 , 形貌