胡炜杰
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赵有文
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段满龙
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王应利
,
王俊
人工晶体学报
利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成.结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响.通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟.通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底.
关键词:
InAs单晶
,
衬底
,
表面
李文龙
,
刘欢
,
杨利青
,
郭滨
,
胡炜杰
,
王浩静
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.035
以硝酸镁(Mg(NO3)2·4H2 O)、醋酸锆(Zr(CH3 COOH)2)、磷酸氢二铵((NH4)2 HPO4)为原料,采用共沉淀法制备得到了纯相的NASICON型Mg0．5 Zr2(PO4)3固态电解质材料,并通过 X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),电化学交流阻抗(EIS)对Mg0．5 Zr2(PO4)3固态电解质样品进行了表征.结果表明,采用无压烧结在750℃烧结制备得到的Mg0．5 Zr2(PO4)3固体电解质致密度最高,达到理论密度的90％,室温总电导率达到最大,为4．67×10－6 S/cm,此时,样品的激活能最小为0．098 eV.研究表明 Mg0．5 Zr2(PO4)3是较有前途的镁离子导电材料,对以后全固态镁离子电池的研发工作具有重要意义.
关键词:
共沉淀法
,
NASICON
,
固体电解质
,
镁离子电导率
